朝鲜日报：长鑫存储已启动 HBM3 试产，初期良率约 25%

ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。

报道显示，SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。

目前，长鑫存储已将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业，并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 没有明显问题，但 HBM 所用 DRAM 芯片面积更大，电气规格也更严格。

业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。报道称，长鑫存储与三星、SK 海力士仍存在 4 至 5 年差距。