路透：长鑫存储筹划切入 NAND 闪存，与三星等厂商竞争

据路透社援引知情人士消息，长鑫存储（CXMT）正准备进入 NAND 闪存芯片市场，在核心 DRAM 业务之外扩展，并将与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储展开竞争。

知情人士称，长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。

报道提到，该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线何时开始运营，或何时进入大规模商业制造，目前尚不明确。

路透社称，全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少会持续至 2027 年。由于制造商优先将支出投向 DRAM 和 HBM，NAND 产能扩张受到限制。

另据报道，长鑫存储于 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储则在 2022 年被列入实体清单。