长鑫科技第五代技术平台量产,24GB LPDDR5X已投产

长鑫科技第五代技术平台量产,24GB LPDDR5X已投产

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News Editor
2026-09-20 03:54:21
长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比达到 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米。在同等条件下,每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品也已进入正式量产,并进入国产主流旗舰手机。

9 月 20 日,在 2026 世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

第五代平台进入量产

据介绍,长鑫科技已将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比达到 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米。

在同等条件下,第五代工艺平台的存储密度明显提升。长鑫科技表示,与上一代平台相比,每张晶圆的产出提升了 50% 以上。

24GB LPDDR5X产品已正式投产

基于第五代技术平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产,并全面进入国产主流旗舰手机。

该消息由 BlockBeats 于 9 月 20 日发布,信源为澎湃。

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