韩媒披露长鑫存储前高管庭审陈述：曾被要求带回三星 DRAM 工艺信息

据韩国《中央日报》报道，该报取得的一份陈述书显示，三星电子部长出身、曾负责长鑫存储（CXMT）设备投资的全某称，长鑫存储前 CEO 王宁国曾于 2016 年 10 月至 12 月召集包括其在内的韩国团队，要求带回三星电子的工艺配方计划（PRP）及设备信息。

全某在陈述中称，王宁国当时表示，如果不把相关内容带回，就会向韩国政府举报，并警告对方自己有核实人脉，不要说谎。全某称，自己当时感到害怕。报道还称，长鑫存储管理层当时以「黄山」作为三星电子的代号。

陈述书涉及三星 18 纳米 DRAM 工艺案情

报道提到，全某在三星电子工作 28 年后加入长鑫存储，后因涉嫌未经授权泄露并使用三星电子投入 1.6 万亿韩元、且在当时全球率先开发的 18 纳米 DRAM 工艺而被起诉。今年 4 月，一审判决其 7 年有期徒刑，目前案件处于二审阶段。

根据报道，PRP 包含 DRAM 制造大约 600 个步骤的顺序、设备、条件值，以及设备公司的名称与型号。

另据陈述，出身三星工艺设计工程师的朴某曾于 2016 年 9 月将相关内容手抄在 12 页笔记中带出，目前处于国际刑警组织红色通报状态。

庭审陈述提及投资沟通内容

全某在庭审中还称，其与中方沟通时曾出现「做不出 18 纳米就不向 CXMT 提供投资」的说法，并表示后来得知，对方从一开始就想要这项技术，长鑫存储起初并没有自行开发的打算。上述施压发生在为申请投资准备会议之前。

公开信息显示，长鑫存储于 2016 年设立，出资方为合肥市政府下属合肥产业投资，出资额为 144 亿元人民币。报道称，该公司约 10 年未实现盈利，去年首次录得年度盈利，净利润为 71 亿元人民币。