铠侠已于 7 月初在日本岩手县北上工厂正式启动第 10 代 3D NAND“BiCS10”量产。韩媒 Zdnet 报道称，这一新世代产品已被用于支持 PCIe 6.0 的最新数据中心 SSD。市场分析指出，制程切换初期的良率爬坡成本，可能正在成为铠侠与合作伙伴 SanDisk 本季财测未达市场预期的重要因素之一。
BiCS10 在北上工厂进入量产，332 层堆叠投入商用
报道指出，铠侠已于 7 月初在岩手县北上工厂（K2 Fab）启动第 10 代 3D NAND BiCS10 量产作业。BiCS10 采用 332 层垂直堆叠设计，这意味着铠侠正式进入 300 层以上高堆叠 NAND 的商用量产阶段。
由于各家厂商对世代划分和堆叠层数的定义并不一致，横向比较并不容易，但这一进展仍被视为具有竞争意义的技术节点。
TrendForce 数据显示，铠侠 2026 年第一季全球 NAND 市占率为 13.9%，位列三星电子的 31.6% 和 SK 海力士的 17.6% 之后，排名第三。尽管营收规模与韩国厂商相比仍有差距，业界仍普遍肯定铠侠在技术开发速度上的积极表现，尤其是在 AI 需求带动下的高性能 NAND 领域。
PCIe 6.0 eSSD 与 UFS 5.0 同步推进
以 BiCS10 为底层技术，铠侠已将产品布局延伸到两个 AI 储存应用场景。
在数据中心市场，铠侠推出支持 PCIe 6.0 接口的企业级 eSSD“CM10”。与前代产品相比，该产品的顺序读取性能最高提升 92%，随机读取性能提升约 85%。报道提到，PCIe 6.0 SSD 是今年刚进入量产的最新接口标准，CM10 目前属于少数已经实现商用化的对应产品之一。
在设备端 AI 市场，铠侠计划于今年底启动 UFS 5.0 嵌入式内存量产。UFS 5.0 是今年开始商用的最新移动设备存储规格，数据处理速度较前代 UFS 4.1 提升约 2 倍。铠侠的 UFS 5.0 产品搭载自研控制器与第八代 NAND，目标市场是搭载 AI 功能的高端智能手机。
良率爬坡推高成本，短期利润承压
BiCS10 量产的推进，也在财务层面带来压力。Citrini 分析师 Jukan 表示，BiCS10 量产或许是铠侠和 SanDisk 近期财测低于市场预期的原因之一。
报道称，芯片厂切换至新制程世代初期，产线通常都要经历良率爬坡阶段。在这个阶段，单位生产成本较高，而出货量尚未形成规模效应，毛利率会直接受到挤压。
铠侠与 SanDisk 长期通过合资工厂 Flash Forward JV 共享产能，这也意味着两家公司在制程切换中的成本压力会相互影响财务表现。换句话说，BiCS10 升级推进越快，短期财报承受的阵痛也会越明显。
三星 8 月推进 V10 NAND，430 层与 Hybrid Bonding 成焦点
面对铠侠的推进节奏，三星电子也选择在 8 月启动第 10 代 V-NAND（V10）量产。V10 首次引入混合键合（Hybrid Bonding）技术和三次堆叠（3-stack）架构，预估堆叠层数达到 430 层，在连接密度和信号效率上较传统封装具有优势。
不过，据业界人士透露，三星 V10 目前仅完成内部产品量产核准（PRA），大规模设备投资尚未启动，短期出货量仍然有限。
AI 需求推动 NAND 世代升级，竞争与盈利重估仍在继续
报道认为，随着 2026 年下半年 NAND 市场进入 PCIe 6.0 与 UFS 5.0 的新规格量产周期，铠侠、三星等主要厂商都在 AI 需求扩张的窗口期加快世代升级。
不过，技术领先与短期财务表现之间的张力仍然存在。BiCS10 带来的良率爬坡压力，正是这一轮 NAND 世代竞赛中先行者需要承担的成本。随着各家产品线陆续走向规模量产，NAND 市场的竞争格局与盈利能力，可能在 2027 年上半年前后出现新的定位。