铠侠量产 BiCS10 332 层 NAND,发 PCIe 6.0 eSSD,Q1 份额 13.9% 居第三

铠侠量产 BiCS10 332 层 NAND,发 PCIe 6.0 eSSD,Q1 份额 13.9% 居第三

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News Editor
2026-08-06 06:30:15
铠侠今年启动第 10 代 BiCS 10 332 层 3D NAND 量产,推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD CM10,顺序读取性能较前代提升 92%,并计划年底量产 UFS 5.0。TrendForce 数据显示,铠侠一季度全球 NAND 市场份额 13.9%,位列第三。三星已量产 PCIe 6.0 eSSD 和第 10 代 V-NAND,行业分析认为 AI 存储竞争将加剧。

ChainCatcher 消息,日本 NAND 厂商铠侠(Kioxia)正加速布局 AI 用 NAND 市场。今年,铠侠已启动第 10 代(BiCS 10)332 层 3D NAND 的量产,并基于这一代产品推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD"CM10",顺序读取性能较前代提升 92%。

UFS 5.0 主攻端侧 AI

铠侠还计划在今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储,数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍,主攻端侧 AI 移动设备市场。

TrendForce 数据显示,铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%,位列第三,排在三星电子(31.6%)和 SK 海力士(17.6%)之后。

三星同步推进,差距仍存

韩厂同样在加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD"PM1763",搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器,UFS 5.0 计划于第四季度量产。

三星还宣布,本月起量产第 10 代 V-NAND(约 430 层),首次应用混合键合及三堆叠工艺。

行业分析认为,铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力,但产能规模仍与韩厂存在差距,后续 AI 存储市场的竞争将更趋激烈。

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