三星与博通签署备忘录，拟扩大 HBM 与 2 纳米以下代工合作

三星电子与博通（Broadcom）24 日在旧金山 AI 峰会签署合作备忘录（MOU）。根据双方披露的规划，未来五年至 2030 年，合作规模预计将超过 2000 亿美元，内容涵盖 HBM 供应、2 纳米以下晶圆代工，以及 2.3D、2.5D 先进封装。

合作范围覆盖内存、代工与先进封装

这份备忘录把内存、晶圆代工和封装纳入同一合作框架。报道提到，三星将供应 HBM，以支持博通新一代 AI 加速器；博通的产品，包括无线宽带通信芯片，将采用三星 2 纳米以下制程；合作也将延伸至基于 2 纳米的 2.3D、2.5D 整合技术。

博通分散先进制程来源的信号

报道称，博通是全球定制芯片（ASIC）龙头，先进制程长期由台积电承接。台积电目前掌握全球逾九成先进制程产能，对博通而言，将部分产能分散至三星，被视为提升供应链韧性的一步。

根据链新闻的报道，台积电近期传出将自 2027 年起把代工价格最高上调 10%，高性能 HPC 芯片订单还将加收 10% 至 15% 溢价；相较之下，三星 2 纳米晶圆价差约为三分之一。不过，报道同时指出，这些报价目前尚未获得双方证实。

三星晶圆代工业务面对良率考验

报道提到，三星晶圆代工的全球市场份额目前约为 7%，其 2 纳米制程良率也持续受到质疑。在这样的背景下，拿下博通这份合作备忘录，被认为有机会改变市场对三星先进制程能力的评价。

不过，报道也指出，短期内这仍难以撼动台积电现有客户关系与技术领先位置。这份 MOU 更像是博通为 2030 年前 AI 芯片产能所做的一份布局。文中还提到，美韩之间近期设有 9500 亿美元半导体与 AI 基础设施合作方案，SK 海力士、英伟达也各自作出大额投资承诺。