SK 海力士在华扩产许可未决，纽约 NAND 工厂融资计划受阻

据路透社报道，韩国芯片制造商 SK 海力士计划通过扩大在华生产，为其在纽约新建存储芯片工厂筹资，但所需美国设备的出口许可迟迟未获批准，令赴美投资计划受阻。

大连工厂扩产与美国建厂计划相互关联

报道称，SK 海力士正申请美国出口许可证，为大连工厂添置设备。公司认为，提高该厂产量并发展更先进的 NAND 芯片制造技术，有助于保持竞争力，也能创造收入，用于支持其在美国的建厂计划。

两名知情人士称，SK 海力士旗下 Solidigm 计划投资约 450 亿美元，在纽约州马西建设两座 NAND 闪存工厂，长期投资额可能达到约 1000 亿美元。报道指出，相关谈判仍在继续，而大连工厂扩张计划能否获批，是纽约建厂计划的关键。

美方许可审批仍无结果

自 8 月底以来，Solidigm 高管已与美国商务部官员会面近 10 次，其中包括与商务部长卢特尼克和次长凯斯勒的会面。

凯斯勒上周仍表示，美国不希望允许更多美国芯片制造设备输往中国，用于技术升级或扩大产能。与此同时，美国商务部目前尚未正式驳回向大连工厂现有闲置洁净室出口设备的许可申请。

Solidigm 称尚未就具体方案作出决定

Solidigm 在声明中表示，正探索在全球潜在地点建设 NAND 闪存晶圆厂的选项，尚未就任何具体行动方案作出决定。

SK 海力士 10 月 23 日表示，Solidigm 此前曾考虑通过 IPO 协助筹资，以建设美国生产设施，但鉴于近期市场状况和股价走势，已暂停评估上市选项。