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金十报道

三星电子
2026-08-05 00:15:00

三星发布 BV-NAND 原型,并展示可垂直堆叠于 AI 加速器上的 zHBM 概念

三星电子在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 大会上推出 V10 Bonding V-NAND(BV-NAND)原型,芯片层数超过 400 层。公司称,该技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%,并提升读取、写入和输入/输出性能。同时,三星还展示 zHBM 与 zNAND-O 概念模型,其中 zHBM 采用将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上的设计。

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三星发布 BV-NAND 原型,并展示可垂直堆叠于 AI 加速器上的 zHBM 概念