三星将原定 2027 年量产的 1.4nm 工艺调整到 2029 年，未来几年继续围绕 2nm 平台扩展、优化良率并推动客户导入。文章指出，三星对 High-NA EUV 仍持谨慎态度，认为该技术更可能在 1nm 级及以下节点成为量产必需。与此同时，台积电 N2 已进入量产，A16 计划于 2026 年下半年量产，并引入 SPR 背面供电技术，先进制程竞争正从单纯节点竞赛转向技术、成本与生态的综合比拼。

三星电子正考虑将器兴 NRD-K 2 号线由研发用途改为代工生产线，扩充 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点对应英伟达等客户的 cHBM 与 HBM5 需求。该线预计于 2028 年下半年启用，并以 Send Fab 模式运营。业内认为，相关规划仍存在调整空间，设备采购订单也尚未正式发出。

三星电子将器兴园区NRD-K 2号产线从研发设施改为晶圆代工产线，目标为英伟达HBM生产2nm基础芯片，预计2028年下半年启用。NRD-K园区总投资约20万亿韩元，三星计划在定制HBM及HBM5上率先应用2nm工艺；产线最终用途仍可能调整。

Digitimes 引述供应链消息称，英伟达已启动下一代 AI 加速器平台 Feynman 的研发与供应链部署，计划采用台积电升级版 A16 制程，并在封装端大规模引入 CPO 与 SoIC，搭配定制 HBM，目标在 2028 年下半年量产。随着 NVLink 频宽预计突破 1,000 TB/s，光互连被视为应对铜线瓶颈的关键。台积电也在同步推进 AP7、AP8 等先进封装扩产，SoIC 月产能目标已多次上修。

BlockTempo 报道称，围绕 iPhone 18 是否涨价，Polymarket、Kalshi 和 yoyo market 的定价已明显转向。文中提到，市场对 iPhone 涨价的预期从 47% 升至 90%，背后涉及内存成本上升、苹果供应链压力，以及折叠 iPhone 传闻带来的定价铺垫。与此同时，苹果过去六代标准版 iPhone 起售价一直维持在 799 美元，外界也关注其是否继续沿用“标价不动、提高入门容量门槛”的做法。

三星电子在 2026 年 NGL 会议上公布新一代光刻路线，计划在 1nm 工艺的大规模生产中部署高 NA EUV，相关节点最早可能于 2030 年进入量产。该公司称，1nm 也被标注为 A10，目前已实现 2nm 工艺商业化，并计划在 2029 年启动 1.4nm SF1.4 量产，2030 年推进 SF1.4+ 与 1nm 工艺量产准备。

华邦电总经理陈沛铭表示，DRAM供需紧张将延续到2027年，明年可能更吃紧，部分客户已开始洽谈2029至2030年的长期供货协议。公司同时规划在2027年前成为全球最大SLC NAND供应商，并持续扩大高雄厂产能。分析师则认为，市场低估了CMX带动的SLC NAND需求。

PANews文章称，2026年8月4日存储行业出现两项关键进展：SK海力士与闪迪在FMS 2026发布高带宽闪存HBF首个标准规范，英伟达则被曝正评估下调Rubin Ultra的HBM配置。文章认为，AI基础设施的核心瓶颈正从单卡内部内存带宽，转向机架与芯粒层面的互联，光电互联、先进封装、HBM、HBF与CXL的价值排序也随之调整。