MarsBit刊文称，AI Agent正把存储从任务结束后的落盘环节，推向感知、记忆与决策循环。文章认为，未来SSD可能演化为具备加密、压缩、索引、记忆维护和上下文服务能力的功能型产品，并在端侧与云侧形成不同分工。与此同时，HBM、HBF、DRAM/CXL与SSD不会简单替代，而会围绕速度、容量、成本和治理需求重新分层。

华邦电总经理陈沛铭表示，DRAM供需紧张将延续到2027年，明年可能更吃紧，部分客户已开始洽谈2029至2030年的长期供货协议。公司同时规划在2027年前成为全球最大SLC NAND供应商，并持续扩大高雄厂产能。分析师则认为，市场低估了CMX带动的SLC NAND需求。

TrendForce 最新研究显示，AI 产业重心正从训练转向推论，内存架构也随之改写。HBM 在训练阶段凭借高带宽占据核心位置，但面对推论阶段 KV 快取带来的容量压力已难以独撑。HBF、SSD POD 与 SRAM 因而分别从大容量、中间存储层与片上高速缓存三个方向补位，形成更细化的推论内存阶层。NVIDIA、Google 及多家 AI ASIC 新创近期布局，也反映这场架构调整正在加速。

三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作。消息称，三星已建成月产超过 10 万片晶圆的 V-NAND 产能，并开始大规模生产第十代 V10 产品供货英伟达。与此同时，三星将约 60% 的 V-NAND 产能分配给 V9 闪存，以满足英伟达下半年推出的 CMX 对 NAND 的需求，500 层级 V11 闪存也已在今年年初启动试生产。