长江存储与长鑫存储或在 2028 年前后正面竞争

ChainCatcher 消息，全球存储器持续严重缺货，AI 与云应用正在推升 DRAM 和 NAND Flash 的需求与价格。

报道提到，中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储，正准备打破原本各占半壁江山的格局。长江存储将跨入 LPDDR5 DRAM，预计于 2026 年底试产；长鑫存储则要从 DRAM 领域切入 NAND Flash。

业界推测，两家最快可能在 2028 年展开正面交锋。

技术进展方面，长江存储已凭借 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发。报道称，三星已在 2025 年与其达成专利许可协议，并将从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。

产能规划上，长江存储三期计划于 2026 年底投产，初期 DRAM 产能约为 2.5 万片，2027 年完成爬坡，目标锁定 LPDDR5，同时也规划后续扩产以及 HBM、3D DRAM。

另有消息称，长鑫存储将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快于 2028 年至 2029 年量产。