全球存储器持续严重缺货，AI 与云应用带动 DRAM 和 NAND Flash 需求与价格上行。长江存储计划切入 LPDDR5 DRAM，长鑫存储则传出将布局 NAND Flash。业界推测，两家最快可能在 2028 年迎来正面竞争。

据 TechPowerUp 报道，长鑫存储预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能将达到约 35 万片，同期美光预估约 37.5 万片。受美国制裁影响，该公司无法获得 EUV，转而采用较旧的 DUV 光刻和多重图案化技术。长鑫存储已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，并量产 24 Gb 模组和 LPDDR5X-10667 模组。报道还称，中国政府正鼓励其向多家国内厂商转移 DRAM IP。

宏碁董事长陈俊圣表示，三星、SK 海力士和美光持续公开喊涨内存价格，背后更像是在反垄断约束下向市场释放信号，而非真实反映全面缺货。其称中国内存厂商握有大量消费型 DRAM 产能，DDR4 等规格供应充足，当前报价混乱。陈俊圣预计，PC 整机售价最快要到 2027 年下半年才可能止涨，但是否转为降价仍没有明确答案。

吴说旗下 WhiteLine Daily 当日聚焦四条线索：长鑫存储宣布第五代 DRAM 技术平台量产，按 8Gb 基准计算单晶圆裸片产出较第四代提升至少 50%；《华尔街日报》称 Anthropic 拟将 IPO 时间从 10 月调整至 11 月；CNBC 称 Anthropic 与 OpenAI 正探索 20 至 30 MW 小型数据中心合作；《日本经济新闻》称日本生命计划到 2035 财年将基建贷款余额增至 2 万亿日元。

长鑫存储在 2026 世界制造业大会宣布第五代 DRAM 技术平台 G5 量产，并展示两款 24Gb LPDDR5X。官方披露的 11.95 纳米、45:1、6762 纳米和裸片数提升至少 50% 四项指标，显示其在缺少 EUV 的条件下把工艺推进到行业 1c 节点量级。但节点对齐不等于成本对齐，G5 后续更关键的观察点仍是良率爬坡、每比特成本收敛速度，以及 HBM 何时从传闻走向正式产品。

长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比达到 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。公司称，第五代工艺平台的存储密度大幅提升，在同等条件下每张晶圆产出较上一代提升 50% 以上，基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品也已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比达到 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米。在同等条件下，每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品也已进入正式量产，并进入国产主流旗舰手机。

宏碁董事长陈俊圣 19 日表示，内存已不再缺货，中国大陆供应商持续放量，令价格处于高档震荡、涨跌混乱状态。LPDDR5、DDR5 9600 搭配 N1 或 N1X 等部分零件仍偏紧，但 DDR4 已供过于求，CPU 整体也不缺。宏碁称今年关键零组件涨价幅度罕见，公司已提高低价零组件库存，应对每季 PC 调价压力，第 4 季度不同产品售价仍有 5% 至 20% 涨幅。