长鑫存储预计 2026 年底 DRAM 月产能接近美光

据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底，DRAM 晶圆月产能约达 35 万片；美光同期预估约为 37.5 万片。

报道显示，长鑫存储的洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁影响，该公司无法获得 EUV，因此采用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。

产品方面，长鑫存储已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度为 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²，密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。

与此同时，24 Gb 模组已以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）也已量产。

报道还提到，中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。