长鑫科技第五代技术平台量产,24GB LPDDR5X已进入旗舰手机

长鑫科技第五代技术平台量产,24GB LPDDR5X已进入旗舰手机

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News Editor
2026-09-20 04:00:25
长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比达到 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米。公司称,第五代工艺平台的存储密度大幅提升,在同等条件下每张晶圆产出较上一代提升 50% 以上,基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品也已进入正式量产,并进入国产主流旗舰手机。

ChainCatcher 消息,在 2026 世界制造业大会上,存储芯片厂商长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。

据介绍,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比达到 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米。

第五代平台量产数据披露

长鑫科技表示,第五代工艺平台的存储密度有大幅提升。在同等条件下,每张晶圆产出较上一代平台提升 50% 以上。

基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已进入正式量产,并进入国产主流旗舰手机。

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