报道称长鑫存储 HBM3 良率仅 25%，百颗近 80 颗未过终测

据 Chip Briefing 引述《朝鲜日报》9 月 9 日报道，中国内存厂长鑫存储的 HBM3 良率停在 25%。按 8 层堆叠 HBM3 计算，每生产 100 颗产品，接近 80 颗无法通过最终测试。

前后段相乘后，整体良率落在 25%

报道将这一数字拆开说明。8 层堆叠 HBM3 的前段制程良率约为三成，进入后段封装测试后，又只有约七成能够通过最终检验。两段结果相乘后，整体良率约为 25%。

产业界通常把 80% 视为可量产的「黄金良率」门槛。以此对照，25% 约为这一门槛的三分之一。

报道称 SK 海力士良率维持在 90% 以上

报道同时给出韩国厂商作为对照。根据报道，SK 海力士自 2022 年量产 HBM3 以来，良率一直维持在 90% 以上。

报道将差距归因于硅穿孔技术的成熟度。硅穿孔是堆叠多层 DRAM 的核心制程，负责在芯片之间建立垂直电性连接；堆叠层数越高，对对位和孔洞质量的要求也越严格。

数据引述自未具名设备业人士

这组数据并非长鑫存储官方披露。《朝鲜日报》引述的是一名熟悉长鑫存储情况的半导体设备业高层，但未具名；长鑫存储本身没有公布过 HBM3 良率数据。

ABMedia 还提到，链新闻此前曾报道，长鑫存储在法说会上公布过 LPDDR6 量产与国产 DUV 进展，市场对其技术追赶速度的评价偏正面；而这次关于良率的报道，则呈现出不同方向的信息。