中国存储厂商长鑫存储（CXMT）在投资人关系记录中确认，第六代 DRAM 技术平台采用 4F² 架构，已通过工程样品验证，首款产品预计在 2026 年底前送样给客户。这一表态，被视为对美光此前质疑 4F² 路线的回应。
长鑫称 4F² 第六代 DRAM 已通过工程样品验证
据科技新报报道，长鑫日前在投资人关系记录中表示，第六代 DRAM 技术平台以 4F² 架构开发，已经通过工程样品验证，首款产品预计 2026 年底前送样给客户。
4F² 是一种 DRAM 存储单元设计方式。按照报道中的说法，这一路线通过改变单元排列方式，把面积系数从主流的 6 降到 4，从而在相同面积内放入更多存储单元，提升芯片密度。
美光维持 6F² 路线，称部分讨论是“烟雾弹”
美光（MU）总裁兼技术产品长 Scott DeBoer 日前在技术研讨会上表示，美光将继续采用 6F² 技术，之后直接转向 3D DRAM。
他表示，美光研究 4F² 已超过 20 年，并认为这项技术缺乏可行的微缩路径，还将部分相关讨论形容为“烟雾弹”。按照美光的说法，决定 DRAM 密度极限的关键，在于电容的间距和尺寸，而不是晶体管的排列方式。
长鑫回应：不同架构各有成本考量
针对相关争议，长鑫回应称，提升存储密度是复杂的系统工程，字线、位线和电容都在争夺有限空间。在特定工艺节点下，不同架构在工艺整合难度、光刻步骤数量和热预算上各有成本考量。
长鑫表示，各家晶圆厂会根据技术背景、现有产线、专利布局和资本支出作出不同选择，这些选择都值得理解和尊重。
长鑫披露，其 4F² 架构采用垂直环绕栅极（VSG）晶体管技术，目前已有超过 300 个公开专利家族，可在深紫外光（DUV）光刻技术可达到的尺寸下提升芯片密度。公司规划在年底前后推出结合 4F² 与混合键合技术的 DDR5 RDIMM 服务器模组，后续是否量产，将视客户验证和市场需求而定。
三星与 SK 海力士仍在推进 4F² 研发
报道提到，三星在今年国际固态电路研讨会（ISSCC 2026）上展示了一款 16Gb 4F² 原型芯片，结合垂直通道晶体管和晶圆级混合铜键合技术。三星计划在 10a、10b、10c 三个工艺节点采用 4F²，到 10d 节点再转向 3D DRAM。三星半导体技术长宋载赫也确认，相关研发仍在持续推进。
SK 海力士同样投入 4F² 研发，采用垂直栅极技术，预估可让存储密度提升 20% 以上。报道称，SK 海力士已在今年 7 月完成测试阵列的读写验证，并计划在 12 月举行的国际电子元件会议（IEDM）上发表无电容 4F² 技术论文。
长鑫消息传出后，全球存储股承压
据工商时报报道，财信传媒董事长谢金河 1 日发文称，长鑫的消息让市场受到惊吓，全球存储股都受到影响，韩国股市和费城半导体指数都面临破底压力，SK 海力士股价已率先破底。
谢金河表示，市场最担心的是存储产业会像电动车一样，因为中国厂商在全球低价抢市而陷入困境。不过他也提到，长鑫自家股价已从人民币 61.8 元跌到 38.75 元，且市场盛传长鑫的高带宽存储 HBM3E 良率可能只有 20% 到 30%。按他的说法，长鑫与三星、SK 海力士之间的技术差距看起来仍然很大。
