韩媒《中央日报》9 月 29 日报道称，中国最大 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）前执行长 David Wang，曾在 2016 年底要求厂内出身三星电子的韩籍技术人员带出三星 18 纳米 DRAM 制程配方（PRP）及设备信息。报道引述侦查笔录称，这一过程呈现出中国政府以投资金额向企业施压、企业再向员工施压的链条。
侦查笔录称 David Wang 曾威胁韩籍技术团队
根据披露的笔录，一名曾在三星电子任职 28 年、后转至长鑫存储负责设备投资的前三星部长沙某表示，David Wang 在 2016 年 10 月至 12 月期间多次召集韩籍技术团队，并称：「把你们手上三星的 PRP 和设备信息全部带来。不带来的话，就向韩国政府检举你们。」
笔录显示，David Wang 还表示自己有人脉可以核验信息真伪，要求相关人员不得以假资料敷衍。报道称，长鑫存储高层内部以「黄山」作为三星电子的暗语代称。一名现职检察官据此指出，CEO 以法律手段进行威胁，恰恰说明当事人清楚知道相关行为违法。
报道提到，前三星员工全某已于去年遭起诉，并在今年 4 月一审被判处有期徒刑 7 年，目前案件仍在二审审理中。
18 纳米 PRP 涉及约 600 道 DRAM 制造步骤
报道指出，David Wang 索取的三星 18 纳米 PRP，是覆盖 DRAM 制造流程约 600 道步骤的完整制程路线图，内容包括各步骤执行顺序、所使用设备的厂商名称与型号，以及精确的制程条件参数。
18 纳米制程指半导体电路线宽仅 18 纳米。在 2016 年，这一节点被业界视为难以跨越的门槛，而三星电子是全球首个实现量产突破的厂商，相关研发投入超过 1.6 兆韩元。
报道称，这批资料最终由前三星制程设计工程师朴某于 2016 年 9 月手抄在 12 页笔记本中带出。朴某目前已被国际刑警组织发布红色通缉令。
证词称中国政府以投资资金设定量产目标
全某在今年 9 月进一步表示，长鑫存储背后还存在来自中国政府的投资压力。他称：「当时中国政府表示，CXMT 如果无法量产 18 纳米，就不给投资资金，CXMT 更从一开始就没有打算自行研发。」
报道指出，David Wang 向员工施压的时间点，正好位于长鑫存储准备向中国政府申请投资资金的会议前夕。按《中央日报》说法，这一时间线显示出由政府提出技术目标、企业负责获取执行资源的模式。
长鑫存储成立资金与招募方式一并曝光
长鑫存储于 2016 年由合肥市政府旗下「合肥产业投资」直接出资 144 亿元人民币成立。报道称，公司在此后近十年持续亏损，直到去年首次实现年度盈利，净利润为 71 亿元人民币。
在人才招募方面，全某称，只要是「三星现职 A 级员工」就会被录用，有时甚至只需要取得该人员的联系方式就能入职。
台湾科技、民主与社会研究中心（DSET）报告也提到，长鑫存储曾通过南亚科、华亚科原台籍高层牵线，以原薪资 2 至 3 倍的条件整组挖角数百名工程师，并借此在十年内升至全球第四大 DRAM 制造商。
案件后续或影响三星与长鑫存储的国际诉讼
报道援引法律界观点称，如果法院正式认定长鑫存储高层介入技术窃取，将增强三星电子在后续国际贸易诉讼中的主动性。
报道同时提到一项先例：在中国面板厂京东方（BOE）与三星显示器的 OLED 营业秘密争议中，美国国际贸易委员会（ITC）曾裁定侵权成立，并建议实施长达 14 年 8 个月的美国进口禁令，最终据报以约 1 兆韩元授权费和解。
按报道说法，此案后续走向不仅关系到三星电子与长鑫存储之间的法律攻防，也可能成为全球科技产业处理国家主导型技术获取争议的重要司法参照。