韩媒称长鑫存储高层曾施压前三星员工带出 18 纳米 DRAM 配方

韩媒《中央日报》9 月 29 日报道称，长鑫存储前执行长 David Wang 被指在 2016 年底多次召集韩籍技术人员，要求带出三星电子 18 纳米 DRAM 制程配方与设备信息。侦查笔录还显示，中国政府曾以投资资金施压，要求长鑫存储实现 18 纳米量产。涉案前三星员工全某已于今年 4 月一审获刑 7 年，案件仍在二审中。