2026 年 7 月 27 日，长鑫科技在科创板正式上市。第三方市值追踪网站 8Marketcap 数据显示，公司盘中总市值约为 3.35 万亿元人民币，在全球上市公司市值排名中暂列第 31 位。与发行时 5792 亿元的市值相比，这一数字已大幅抬升。
市值快速跃升的另一面，是公司在上市前仍背负较重历史亏损。截至 2025 年底，长鑫科技累计未弥补亏损达到 366.5 亿元。对一家经历十年亏损的国产 DRAM 企业而言，资本市场给出的定价形成了鲜明反差。
“506 项目”启动：长鑫科技的起点
长鑫科技的源头可追溯到 2016 年 5 月 6 日。当天，朱一明与合肥市政府研讨存储器项目战略，代号“506”的国产 DRAM 项目由此启动。一个月后，长鑫科技在合肥注册成立。
朱一明此前已在存储芯片行业积累经验。他拥有清华大学物理系学士及硕士学位，随后赴美国纽约州立大学石溪分校深造。2005 年，朱一明在北京中关村创立兆易创新。面对当时几乎被外资垄断的存储芯片市场，兆易创新选择从 NOR Flash 切入。该产品虽然市场规模不及 DRAM，但技术门槛并不低，并在嵌入式设备中存在刚需。随着持续研发推进，兆易创新逐步成长为全球 NOR Flash 领域的重要参与者，并于 2016 年登陆 A 股。
兆易创新的经历，为朱一明积累了行业信用基础。不过，DRAM 与 NOR Flash 所处赛道并不相同。DRAM 长期被三星、SK 海力士和美光三家企业主导，行业具有资金密集和技术密集双重特征，进入门槛极高。2016 年前后，全球 DRAM 市场处于一轮上行周期起点，智能手机普及推动移动内存需求增长，而国内庞大的终端制造产业仍主要依赖进口芯片，这成为长鑫立项的重要背景。
在这一阶段，合肥市政府的投入至关重要。此前，合肥已通过引入京东方，形成“政府招引重资产项目—国资领投—上市退出—循环再投”的路径。合肥方面看中了朱一明团队的执行力，也看中了 DRAM 赛道的产业战略价值，决定为长鑫提供启动资金底座。
2018 年，朱一明辞去兆易创新总经理职务，正式出任长鑫科技 CEO。他承诺，在长鑫盈利前不领取工资和奖金。与此同时，朱一明拿出 7.68 亿股分给员工，按 8.66 元发行价计算，对应股权激励价值超过 200 亿元；他本人则承诺上市后第一个十年不转让股份。
十年亏损与技术爬坡
DRAM 行业的壁垒，不只来自高额资本开支，也来自复杂工艺与专利限制。三星等头部厂商曾多次在行业下行期通过价格竞争挤压后来者。对新进入者而言，工艺设计、良率提升和知识产权布局都需要长时间投入。
长鑫在研发早期面临从工艺设计到良率爬坡的系统性挑战。公司通过自主研发与部分技术引进结合的方式，逐步搭建知识产权体系。良率提升是一个长期过程，从最初的百分之十几逐步提升到百分之八九十，需要对大量工艺参数持续微调。
公司一期项目总投资约 180 亿元，其中合肥产投出资 144 亿元，占比 80%。2018 年，长鑫科技第一条产线正式投片。2019 年 9 月，公司推出首款 10nm 级 8Gb DDR4 芯片并实现量产，中国大陆 DRAM 产业由此实现从 0 到 1 的突破。
此后，长鑫的产品线继续扩展。2023 年 11 月，公司推出国内首款 LPDDR5。到 2025 年，长鑫已完成 DDR5、LPDDR5/5X 产品覆盖。
截至 2025 年底，长鑫科技员工总数达到 19,298 人，其中研发人员占比 32.43%。公司目前拥有 3 座 12 英寸晶圆厂，分别位于合肥 2 座、北京 1 座。
技术追赶伴随着明显的财务代价。截至 2025 年底，长鑫科技累计未弥补亏损 366.5 亿元。其中，2024 年公司营收为 241.78 亿元，净利润亏损 71.45 亿元。报道指出，在制程落后、良率爬坡缓慢、单位比特成本较高的情况下，公司在较长时间内依靠价格竞争和国产替代需求争取订单，巨额亏损也反映了试错成本之高。
融资接力与早期股东浮盈
长鑫科技的融资历程，贯穿了其长期亏损阶段。从一期项目的 180 亿元投资，到 2024 年第八次增资时 1400 亿元投前估值，再到上市前最后一轮 1584 亿元估值，公司估值一路上行。
合肥国资体系是这轮资本长跑中的核心力量。长鑫一期项目中，合肥产投出资 144 亿元。到上市前，合肥国资体系合计持股约 36.79%。若按 3.35 万亿元市值测算，其对应市值超过 1.1 万亿元。报道援引合肥产投负责人说法称，投资逻辑之一就是“投朱一明这个人”。在长鑫持续亏损阶段，合肥国资并未退出，而是继续投入。
除地方国资外，券商和市场化机构也较早入场。招商证券在天使轮投资 3.24 亿元，目前合计持股约 0.84%。基石资本于 2021 年 9 月领投 12 亿元，华登国际投资近 9 亿元。基石资本董事长张维表示，长鑫项目难度很大，需要整合大量资源、协调多方并承受巨大压力。华登国际彭桂娥博士则表示，当行业难到财务模型无法量化时，对创始人的判断就是最大的模型。
2024 年 6 月，在行业低谷阶段，五大行 AIC 集体入场，增资价格为 2.61 元/股。与 8.66 元发行价相比，五大行 AIC 的账面浮盈已超过 230%。报道认为，这类长周期资金与半导体产业的回报周期更为匹配。
上市前最后一轮融资中，阿里云投资 61 亿元，获得 3.85% 股权；腾讯持股 1.50%。互联网企业也成为长鑫股东，报道将其与 AI 算力供应链安全联系在一起。至此，长鑫的股东结构已从地方政府延伸至市场化机构和产业资本。
2026 年第一季度业绩爆发
长鑫科技在上市首日获得 3.35 万亿元市值，直接催化因素来自 2026 年第一季度业绩。
公司 2026 年 Q1 营收达到 508 亿元，同比增长 719%；归母净利润为 247.62 亿元，合并净利润 330.12 亿元。按文中口径测算，公司一季度每天净赚约 3.67 亿元。
报道将这轮业绩跃升归因于 DRAM 价格周期与 AI 算力需求的共振。2026 年初，DRAM 合约价环比上涨 58% 至 63%。与此同时，AI 服务器需求增长，带动高带宽内存需求上行。
文中还梳理了 AI 算力对存储市场的传导机制。AI 大模型训练需要处理大量参数，对内存带宽要求更高。HBM（高带宽内存）通过先进封装将多个 DRAM 芯片堆叠，被视为 AI 算力的关键环节。除 HBM 外，AI 服务器扩张也带动普通 DDR5 和 LPDDR5 需求，因为推理端和边缘设备同样需要更大内存容量。报道据此认为，需求结构变化推动了整个 DRAM 市场价格中枢上移。
根据文中数据，长鑫科技在 2025 年第四季度全球 DRAM 市场份额达到 7.67%，排名全球第四、中国第一。在 HBM 方面，公司已交付 16nm HBM3 样品，并计划于 2027 年量产 HBM3E。报道称，虽然这一进度落后 SK 海力士约 2 至 3 年，但已为公司打开数据中心相关业务空间。
2025 年全年，长鑫科技营收为 617.99 亿元，首次实现盈利，净利润为 18.75 亿元。公司预计 2026 年上半年净利润将达到 500 亿元至 570 亿元，盈利拐点已出现。
高市值之下的估值与经营压力
报道同时指出，3.35 万亿元市值中包含较高的国产替代溢价与 AI 算力预期溢价。
从估值指标看，若对应 2025 年盈利水平，长鑫科技当前市盈率超过 300 倍，明显高于国际同行 5 至 8 倍的市盈率区间。文中还提到，三星电子、SK 海力士和美光三大存储厂商合计市值约为 4.1 万亿美元。就产业基本面而言，长鑫与国际龙头仍存在差距。
制程方面，长鑫科技主力制程约为 17 至 18nm，落后国际领先水平约 1.5 至 2 年。在 DDR5 单位比特成本上，长鑫比三大龙头高出 30% 以上。报道指出，在存储价格下行周期中，这类成本劣势可能被放大，盈利韧性也将面临考验。
产品结构上，长鑫目前仍以 DDR4 和 LPDDR5 为主，而国际头部厂商已将更多产能转向 DDR5 和 HBM。客户结构方面，长鑫科技前五大客户销售占比超过 68%，客户集中度较高，且与兆易创新存在关联交易。相比之下，国际巨头拥有更分散的全球客户基础。与此同时，公司累计未弥补亏损 366.5 亿元，也仍需在未来盈利年度中逐步消化。
报道最后认为，尽管盈利拐点已经出现，长鑫本质上仍是一家强周期公司。制程差距、成本压力和高估值风险，仍是其在当前市值水平下需要面对的现实问题。