高盛称 NAND 替代部分 DRAM 降本，存储市场现结构变化

BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议对内存板块的点评称，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，高盛据此小幅下调了第三季度 DRAM 价格增长预期。

与之相比，NAND 的前景更趋乐观。高盛提到，AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，市场上也开始出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新趋势，这对 NAND 需求形成支撑。

DRAM 涨价斜率阶段性放缓

点评显示，此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格快速上行，但当涨幅触及 30% 后，客户开始抗拒继续涨价，DRAM 的涨价斜率面临阶段性放缓。

NAND 在 AI 基础设施中获得新角色

高盛认为，NAND 正在 AI 基础设施中承担新的角色。尤其在推理场景里，KV Cache 十分关键，用成本更低的 NAND 部分替代昂贵 DRAM 来压缩成本，正逐渐成为实际趋势。

高盛看好 SK 海力士二季度表现

分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计其营收约 85 万亿韩元，毛利率达到 63%。相关标的包括 SK 海力士、美光和闪迪。

这份点评也反映出存储市场正在出现结构性变化：DRAM 端的短期盈利预期需要更谨慎看待，而 NAND 端的基本面改善可能尚未被充分定价。