联想在 ISC 2026 国际超级计算机大会上公开表示，DRAM 与 NAND 价格已经进入结构性上行周期，短期内难以回到 2025 年初水平。联想财务长 Winston Cheng 直言，这轮内存成本上升“前所未有”，公司已把库存提高到高于正常水位约 50%，覆盖 DRAM、LPDDR、DDR、GDDR 与 HBM，以应对持续涨价。
价格从 2025 年第三季末开始偏离预期
联想展示的走势显示，这一轮涨价自 2025 年第三季末开始明显脱离市场原先预估区间，之后一路走高。三星与 SK 海力士的服务器 DRAM 报价一度上调 60% 至 70%；美光则表示，连核心客户需求也只能满足约 55% 至 60%。报道提到，Google、微软等超大规模云服务商已在排队抢货。
联想的判断是，这并非传统景气循环中的短期缺货。问题不只是需求增加，更在于产能流向发生了变化，而且这种变化带有明显的结构性特征。
HBM 挤占通用 DRAM 供应
这轮供给紧张的核心变量是 HBM。联想称，HBM 目前已占用约 23% 的 DRAM 晶圆产能，而且比例还在上升。更关键的是晶圆转换效率：每增加一份 HBM 产出，大约会挤掉 3 份通用内存供给。AI 服务器持续拉走高带宽内存资源，消费级内存自然被排到后面。
在这样的利润驱动下，三星、SK 海力士和美光持续把更多产能转向服务器级和企业级产品。联想认为，这与过去“等扩产就能缓解”的周期性缺货不同，消费市场面临的是主动让位后的供给收缩。
新产能要等到 2028 年，终端设备面临长期成本压力
联想给出的时间表并不乐观。公司预计，新产能要到 2028 年才会陆续释放，而所谓新的价格常态，可能要到 2030 年才逐步形成。即便如此，届时价格水平仍会高于 2024 年和 2025 年，并不意味着市场会回到此前区间。
成本传导的终点是消费电子。联想指出，PC、游戏主机、智能手机，以及所有搭载内存或 SSD 的终端产品，未来至少 五年都将承受上行压力。对联想而言，把库存提前抬高 50% 不是激进押注，而是对原材料价格持续走高的防御性安排。