前英特尔 CEO 季辛格（Pat Gelsinger）出任美国初创公司 xLight 执行董事长，这家公司正试图切入长期由 ASML 主导的 EUV 光刻核心环节。更受关注的是，美国政府已通过 CHIPS 与科学法案对 xLight 直接持股，成为川普政府新设 CHIPS 研发办公室的首笔股权交易。
美国政府与资本同步押注 xLight
根据披露信息，美国商务部在 2025 年 12 月签署意向书，承诺向 xLight 投入至多 1.5 亿美元，并取得公司直接股权。与此同时，xLight 正与 Boardman Bay Capital Management 和贝恩资本洽谈新一轮 3.5 亿美元融资，并计划邀请 ASML、台积电、英特尔和美光参与。
季辛格在半导体产业和政策层面都有深厚履历。他于 2025 年 3 月以执行董事长身份加入 xLight，其所属创投 Playground Global 又在 2025 年 7 月领投了 xLight 的 4,000 万美元 B 轮融资。算上联邦资金，xLight 累计融资约 2 亿美元，另有最多 42 亿美元的不具约束力项目融资承诺，用于未来建厂。
不走 ASML 现有路线，xLight押注自由电子激光
EUV 光刻是先进芯片制造的关键工艺，目前全球只有 ASML 能生产相关整机设备。ASML 现行方案采用“激光诱导等离子���”光源，即用高功率激光持续轰击熔融锡滴，产生 EUV 光。这套系统已经商业化，但设备结构复杂，最新一代机台单价达到 3 亿至 4 亿美元。
xLight 选择的是另一条路线：自由电子激光。其思路是通过小型粒子加速器将电子加速至接近光速，再让电子穿过交替排列的磁体阵列，在摆动中释放强烈 EUV 光。公司宣称，这种方法可将波长缩短至 2nm，而 ASML 现有机台使用的是 13.5nm 光源。波长越短，可刻画的电路线宽越细，理论上有利于提升晶体管密度并降低先进 AI 芯片的资本与运营成本。
xLight 的目标不是整机替代，而是进入 ASML 供应链
xLight 目前并未把自己定位为 ASML 的整机竞争者，而是希望将光源作为核心部件卖入 ASML 设备体系。ASML CEO Christophe Fouquet 已公开确认，ASML 正与 xLight 合作进行技术验证。这意味着，xLight 的商业路径更接近上游关键零部件供应，而不是重新搭建整套 EUV 设备体系。
公司正在纽约州 Albany NanoTech 园区建设首座��型工厂，目标是在 2028 年让第一套可运行光源上线。时间表已经给出，但离实际运行还有数年。
材料兼容性仍是核心障碍
尽管 2nm 波长的说法颇具吸引力，量产可行性仍未被公开验证。半导体论坛 SemiWiki 上，拥有多年行业经验的 Fred Chen 指出，更高 EUV 功率可能与护膜和光阻材料不兼容。
护膜用于保护光罩免受污染，关系到晶圆良率；光阻则是晶圆表面的感光材料，决定电路图案能否准确转印。如果功率过高，护膜可能被烧穿，光阻反应也可能失控。围绕这两个问题，公开信息里还没有明确解法。xLight 的技术和商业假设，眼下仍建立在“高功率 2nm 光源可以与材料体系兼容”这一前提上，而这一点尚未完成量产层面的验证。