三星电子与 SK 海力士加码 HBM 与下一代存储技术

ChainCatcher 消息，韩国三星电子和 SK 海力士正加速布局 HBM 及下一代存储技术，以维持领先优势。

三星电子表示，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元，约合 116 亿美元，并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。

SK 海力士则正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等下一代技术，预计今年资本支出规模达到 40 万亿韩元，约合 326 亿美元。