三星电子披露，第 7 代高带宽内存 HBM4E 的可靠性测试良率已超过 70%。这一数据由三星 DS 部门 CTO 宋在赫在 6 月 30 日 的内部经营说明会上给出，距离业内通常视为成熟水平的 80% 门槛已更近一步。
据韩媒《Financial News》报道，宋在赫同时提到，次世代 D1d（10 纳米级第 7 代）DRAM 工艺相较竞争对手已取得优势。对正处在追赶阶段的三星来说，这个表态不只是研发进度更新，也直接对应后续量产与客户验证节奏。短句很直接：三星希望把差距缩小。
HBM4量产后，销售额已突破12亿美元
三星在今年 2 月 首次量产第 6 代 HBM4，到了 5 月底，公司公布了 HBM4E 12 层产品规格，并向主要客户送出样品。按报道说法，三星是业内首家出货 HBM4E 样品的厂商；截至当月底，HBM4 销售额已突破 12 亿美元。
从时间线看，三星近几个月明显在提速。HBM4刚量产不久，下一代产品样品已对外推进，而面向后续产品的底层工艺也在同步准备。三星预计，D1d 工艺将在 11 月 通过生产准备认可（PRA），后续将用于 HBM5 及之后的产品。
Nvidia相���订单争夺仍由SK海力士占优
HBM 是 AI 加速器旁的关键高速内存，直接关系到 GPU 的数据吞吐能力，也是本轮 AI 硬件需求中的核心环节。三星加快披露良率与出货进度，原因并不复杂：Nvidia 相关 HBM 大单目前仍主要掌握在 SK 海力士 手中。
报道提到，SK 海力士过去在供应 Nvidia 的 HBM3E 上，一度拿下约 70% 的份额；到了面向 Nvidia 下一代 AI 加速器 Vera Rubin 的 HBM4，供应链分析估计，SK 海力士仍占约 60% 至 70%，三星约为 25% 至 30%，其余由美光补足。对三星而言，HBM4E良率上升和HBM4销售放量，指向的是同一件事：争取更多高价值客户订单。