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HBM4E

三星电子
2026-09-20 08:27:14

三星电子计划明年将 HBM4 系列产量较今年至少翻倍

据《首尔经济》报道，三星电子计划明年把 HBM4 与 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍，并将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体外协清洗量从今年每月 2 万片提高到明年每月 5 万片。报道称，三星今年 2 月已量产出货 HBM4，5 月向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品，业界预计其 HBM 月均晶圆投入明年将增至约 25 万片。

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三星电子计划明年将 HBM4 系列产量较今年至少翻倍
SK海力士
2026-08-31 01:28:44

SK海力士拟将HBM4E基底芯片部分交英特尔代工，减少对台积电依赖

Citrini 分析师 Jukan 披露，SK 海力士正推动 HBM 基底芯片代工厂多元化，考虑把第七代 HBM4E 的部分基底芯片交给英特尔生产。目前其外包基底芯片完全依赖台积电。行业消息人士称，HBM4E 基底芯片最早可能由台积电与英特尔共同制造。受 HBM 长期供应协议覆盖，SK 海力士难以及时通过涨价转嫁成本，行业观察人士认为，引入英特尔将增强其成本竞争力和供应稳定性。

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SK海力士拟将HBM4E基底芯片部分交英特尔代工，减少对台积电依赖
SK海力士
2026-08-31 01:26:23

消息称SK海力士考虑让英特尔代工HBM4E基底芯片

据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。此前其外包基底芯片生产完全依赖台积电，此举被视为建立多供应商代工策略的一部分，以减少供应链集中度并增强议价能力。行业消息人士称，台积电与英特尔可能从 HBM4E 世代起共同制造基底芯片。

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消息称SK海力士考虑让英特尔代工HBM4E基底芯片
英伟达
2026-08-30 06:03:11

Citrini分析师：英伟达Rubin Ultra HBM层数或降至8层，需求可能反而扩大

Citrini分析师Jukan表示，根据其消息来源，英伟达Rubin Ultra的HBM规格可能由12层HBM4E降至8层，OpenAI、Anthropic曾要求4层但被存储厂商拒绝。降规出于良率与成本压力，12层下内存成本或占物料成本约70%。软件优化让客户更重带宽而非容量，降层或提高良率并扩大HBM总需求，还会消耗更多DRAM晶圆产能。长期看，存储与逻辑融合是关键。

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Citrini分析师：英伟达Rubin Ultra HBM层数或降至8层，需求可能反而扩大
三星电子
2026-08-28 06:27:38

三星为英伟达开发 HBM4E 8 层产品，瞄准 NVHBM 核心供应

据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E 8 层产品，争取成为其定制高带宽存储器 NVHBM 的核心合作伙伴。该方案较原定 12 层、16 层设计降低堆叠高度，目标速度为 17-18Gbps，高于三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps。报道还称，8 层设计有助于降低后工序难度和良率压力，或被英伟达用于缓解内存短缺，并计划自明年推出的 Rubin Ultra 起导入。

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三星为英伟达开发 HBM4E 8 层产品，瞄准 NVHBM 核心供应