三星加快平泽 P5 一期建设，设备导入目标或提前至明年二季度

据 ZDNet Korea 9 月 28 日报道，三星电子正在加快平泽第五园区（P5）首条量产线 Ph1 的建设，并已与主要设备厂商讨论，将 Ph1 设备搬入目标从原定的明年三季度提前至明年二季度。

P5 是三星以 2028 年投产为目标推进的下一代半导体生产基地。今年三季度，P5 Ph1 洁净室建设已经启动。三星此前还将原定于明年初完成的 Ph1 洁净室建设计划提前了约 6 个月，因此设备导入时间一度预计在明年三季度左右。

P5 一期设备导入时间继续前移

报道援引业内人士说法称，设备搬入开始时间拟从明年 7 月至 8 月，提前到明年 5 月至 6 月前后。另有业内人士表示，三星甚至提出在明年一季度先交付设备，再由其他地点暂存，这被视为其提前投资意愿较强的信号。

二期投资讨论同步推进

除 Ph1 外，P5 第二阶段 Ph2 的投资讨论也在推进。按照目前更可能的规划，Ph1 将建设为 DRAM 与 HBM 产线，Ph2 则更可能建设为包括第十代（V10）在内的先进 NAND 产线。

设备行业人士表示，正式采购订单目前尚未下达，但三星已经与合作方讨论将 Ph2 建成 NAND 产线。由于设备交付周期较长，三星也要求相关厂商提前备妥零部件。

AI 基础设施订单推高存储需求

报道称，全球大型科技公司正在增加 AI 基础设施所需的高性能 DRAM 与 NAND 订单，而三星等存储企业的现有产能有限。

三星在 7 月举行的二季度业绩电话会上曾表示，今年未能满足的需求将延续到明年；明年的供应短缺将比今年更严重，并预计短缺情况会持续至 2028 年。