三星扩大对英伟达NAND供应,推进V9、V10与V11布局

三星扩大对英伟达NAND供应,推进V9、V10与V11布局

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News Editor
2026-07-21 09:54:01
三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作。在此前 DRAM、HBM 及晶圆代工合作基础上,双方继续深化存储芯片供应关系。报道称,三星已开始量产第十代 V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代 V-NAND(V9)产能,并推进第十一代 500 层级 V-NAND(V11)开发。三星目前月产能已超过 10 万片 V-NAND,其中约 60%分配给 V9 产品。
三星电子英伟达NAND闪存V-NAND存储芯片半导体科技动态

Odaily星球日报讯,三星电子正扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作,在此前已开展 DRAM、高带宽内存(HBM)及晶圆代工合作的基础上,继续深化存储芯片供应关系。

据报道,三星已开始量产第十代 V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代 V-NAND(V9)产能,并推进第十一代 500 层级 V-NAND(V11)开发。

据悉,三星目前已具备月产超过 10 万片 V-NAND 的产能,其中约 60%产能分配给 V9 产品。

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