SK海力士加快1c DRAM爬坡，四季度占比或反超三星

据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 的生产占比。

业内数据显示，SK 海力士 1c DRAM 占比已由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达到约 24%，四季度约为 34%；到明年一季度，这一比例或升至约 35%，首次超过 1b 的约 33%，并成为主力工艺。

1b 占比见顶后回落

1b，即 10 纳米级第五代 DRAM，其占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。

横向对比来看，截至二季度末，三星电子 1c 占比约 16%，美光约 19%，均高于 SK 海力士当时约 13% 的水平。报道称，SK 海力士在下半年加快转换后，四季度 1c 占比或达到约 34%，超过三星电子约 31%。

二季度起实质性展开 1c DRAM 供应

SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开。公司称，下半年随着 HBM4 放量以及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率将高于上半年。

HBM4 与 HBM4E 导入节奏

三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps。SK 海力士此前则以已经验证的 1b DRAM 和先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，并计划自下一代 HBM4E 起，首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。

机构给出的 HBM4 市场份额预期

Counterpoint Research 等机构预计，按今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径计算，HBM4 市场份额约为：SK 海力士处于 50%中段，三星电子处于 20%后段，美光处于 10%后段。