SK海力士（SK Hynix）在美国发行的美国存托凭证（ADR）挂牌第 3 天延续强势，周二收盘上涨 27.3%，几乎收复前一日因韩国股市剧烈抛售所导致的 9.3%跌幅。受普通股转换为美国凭证的法令与操作额度限制影响，这只 ADR 相较首尔上市普通股的溢价快速扩大，一度升至 51%。
SK海力士（000660）当天在韩国股市开盘也上涨 10%。报道提到，这一表现有望带动台股内存板块回升，涉及个股包括南亚科（2408）、旺宏（2337）、华邦电（2344）与力积电（6770）。
换股限制与期权交易推高ADR溢价
ABMedia称，SK海力士此次在美国进行的存托凭证发行规模达到 265 亿美元，每单位 ADR 代表 10 分之 1 股普通股。由于韩国普通股转换为美国存托凭证存在法令与额度限制，美国市场供给因此偏紧。
在美国期权交易所正式开放该 ADR 的期权（Options）交易后，投资人得以更方便参与这只波动较大的内存芯片股票，推动其与首尔普通股之间的溢价扩大至 51%，远高于公开发行同期的 3%价差。
股价反弹出现在AI估值与景气疑虑升温之际
报道指出，这轮上涨之前，全球金融市场正在消化两项担忧：一是 AI 生态估值偏高，二是半导体资本支出可能已接近景气高点。
在此背景下，SK海力士 ADR 先是在周一跟随韩国本土市场下跌 9.3%，随后又在下一个交易日反弹 27.3%。ABMedia认为，这一价格表现显示，尽管市场对半导体景气循环仍有戒心，国际机构资金对具备高性能内存技术优势的公司配置意愿仍然较高。
美股内存与光通信板块同步受提振
作为全球高带宽内存（HBM）的核心供应商，SK海力士 ADR 的上涨也对相关板块形成带动。报道称，该股成为当日美股盘面的突出焦点，并提振了与 AI 硬件基础设施关系密切的内存芯片制造商、光传输元件和光通信板块信心。
资金重新流入相关科技板块，反映出在经历短暂修正后，硬件供应链的增长动能仍获得结构性资金支撑。
台股内存个股受关注
ABMedia表示，SK海力士 ADR 在美股走强，预期将对台湾半导体供应链形成正面催化。报道提到，南亚科此前交出亮眼成绩，但受到韩国股市下跌拖累，未能突破新高；在SK海力士回稳后，旺宏、华邦电、力积电等内存相关个股也被视为有望全面反弹。