台积电正在同步评估美国晶圆制造扩张与中国台湾先进封装增产计划。
据 Counterpoint Research 统计，台积电今年第二季纯晶圆代工市占率达到 71%，与后续厂商的差距继续拉大。该机构称，增长动能主要来自 2 纳米制程进入量产、3 纳米产能持续爬坡，以及 8 吋、12 吋成熟制程和先进封装产能供不应求，这也让台积电的议价能力和营收能见度同步提升。
美国第二制造园区传出评估消息
据中国台湾媒体引述半导体设备产业链近期消息，在亚利桑那州之外，台积电正评估建设美国第二座大型制造园区，规划再建设 6 座先进晶圆厂，潜在落脚点指向得州达拉斯及北得州地区。若计划最终落地，台积电在美国将形成亚利桑那、得州两大先进制造基地。
截至目前，台积电尚未对这一消息作出正式回应。近期，关于台积电将在得州建设新厂的说法已在半导体供应链内部流传。多家供应链厂商表示，确实听到过相关讨论，但台积电尚未正式要求供应商提前进行建厂准备，因此具体规划仍存在变数。
报道指出，台积电扩大美国布局的一个核心驱动力，是 AI 和高性能计算（HPC）需求持续增长。台积电位于美国亚利桑那州凤凰城的制造基地，已将总投资规模提高至约 2650 亿美元，规划建设 6 座晶圆厂、2 座先进封装厂以及 1 个研发中心，目标是形成覆盖晶圆制造、先进封装和研发的完整制造集群。
随着 AI 加速器性能持续提升，先进制程已不是唯一关键，CoWoS 等 2.5D/3D 先进封装及 HBM 等技术的重要性也在提高。对于英伟达、AMD 等 AI 芯片客户而言，晶圆制造、先进封装和高带宽存储之间需要更紧密的供应链协同，因此台积电在美国建设先进晶圆厂的同时，也在逐步把先进封装能力延伸到当地。
美国客户基础也是台积电扩大本地制造的重要原因。苹果、英伟达、AMD、高通都是台积电的重要客户。随着美国持续推动先进芯片制造本土化，客户对本地生产能力的需求增加。同时，美国贸易政策和关税政策存在不确定性，也促使台积电进一步靠近美国客户和终端市场。
得州被视为潜在候选地
在潜在选址方面，达拉斯及北得州具备较完整的半导体产业基础。当地长期被称为“硅草原”，已形成晶圆制造、半导体设备、材料、光通信以及电子制造等产业集群。德州仪器在当地拥有大规模制造基地，三星也在奥斯汀布局晶圆厂，周边还聚集了众多电子、通信和高科技企业。
对台积电来说，得州的吸引力还来自能源、土地和人才资源。先进晶圆厂属于高耗能、高用水产业，需要稳定电力、大量工业用地以及成熟技术人才。随着 AI 数据中心快速扩张，美国部分地区的电力和基础设施压力不断上升，能源供应能力也成为先进晶圆厂选址的重要因素。
相比之下，台积电亚利桑那基地近年在建设成本、劳动力以及水电等基础设施方面面临一定挑战。报道认为，得州在土地、能源和产业人才方面的优势，使其成为台积电评估美国第二园区时的重要候选地区。
如果台积电最终启动美国第二园区，考虑到后续晶圆厂可能采用更先进的制程节点，并配套先进封装和研发设施，其总投资规模可能超过亚利桑那州目前约 2650 亿美元的规划规模。
不过，目前 6 座晶圆厂的具体规划、投资金额和制程节点，均未获得台积电官方确认。供应链消息称，达拉斯及北得州可能已进入台积电选址评估的后期阶段，但最终方案仍需等待台积电董事会拍板。
若该计划落地，台积电在美国的布局将从单一制造基地逐步转向区域化产业布局：亚利桑那重点发展先进晶圆制造和先进封装，得州则依托当地成熟的半导体和工业生态形成新的制造核心。按报道说法，美国先进半导体供应链也可能由“单点建厂”进一步走向产业集群化。
嘉义科学园区三期传出新增 5 座封装厂规划
除晶圆厂外，台积电在中国台湾的先进封装扩产也传出新消息。随着 AI 芯片需求持续增长，先进封装已成为继先进制程之后，半导体产业扩产的另一项重点。半导体供应链近期传出，随着嘉义科学园区扩建计划启动，台积电正评估在嘉义科学园区三期新增 5 座先进封装厂。
若相关规划落实，台积电在嘉义的先进封装厂数量将由目前规划的 5 座增加至 10 座，进一步扩大当地 AI 先进封装产业聚落。
9 月 23 日，中国台湾当局公告“嘉义园区扩建计划（二期扩大）”信息公开及意见征询程序，外界称为“嘉科三期”。根据规划，扩建方向涵盖人工智能、异质封装、硅光子、高速宽带网络、量子科技及净零等领域，主要因应产业长期发展与土地需求。不过，该计划仍须经过环境评估及后续审议，尚未正式定案。
根据南部科学园区管理局资料，台积电已在嘉义园区一期规划 P1、P2 两座先进封装厂，预计 2027 年量产；二期则规划 P3、P4、P5 三座厂房，其中 P3 已经动工，二期预计 2031 年完成开发。供应链近期传出，随着 AI 芯片订单持续增加，台积电正评估在三期再建设 5 座先进封装厂，但具体投资规模及产品规划目前尚未获得台积电证实。
CoWoS 与 3D 封装需求带动扩产
这一轮扩产的核心动力，仍来自 CoWoS 等先进封装需求快速增长。与传统封装相比，CoWoS 通过硅中介层，将 GPU、CPU、HBM 以及 I/O 芯粒整合在同一封装中，可提供更高的互连密度和带宽，并降低芯片之间的数据传输延迟与功耗。目前，GPU 搭配 HBM 已成为 AI 加速器的主流架构，而 HBM 数量增加、芯片面积扩大，也让先进封装成为 AI 芯片产能的重要瓶颈。
台积电的先进封装布局已发展超过 10 年。2012 年，台积电开始量产 CoWoS，早期主要应用于 FPGA、网络芯片及高性能计算产品。随着生成式 AI 快速发展，GPU 与 HBM 需求爆发，CoWoS 的重要性明显提高，台积电也持续扩大产能并推动封装技术升级。
目前，CoWoS 已从早期方案不断向更大封装尺寸演进。台积电先后发展 CoWoS-S、CoWoS-R 及 CoWoS-L 等技术。其中，CoWoS-L 通过重布线层与局部硅互连结合，可以突破传统硅中介层尺寸限制，更适合大型 AI 芯片和多芯粒系统。
与此同时，台积电还在推进 SoIC 等 3D 封装技术，通过混合键合实现芯粒垂直堆叠，并将 CoWoS、SoIC 等技术纳入 3DFabric 平台，为未来 Chiplet 及异构集成提供基础。
嘉义与高雄布局延伸至硅光子和材料设备
报道提到，嘉义扩建规划除了先进封装，也将硅光子列为重点发展方向。随着 AI 数据中心网络向 1.6T、3.2T 甚至更高速率演进，传统电互连面临功耗和带宽压力，硅光子、光电共封装等技术的重要性持续上升。未来 AI 芯片的竞争，也可能从 GPU 与 HBM 之间的高速互连，延伸到芯片与网络之间的光互连。
与此同时，高雄桥头白埔产业园区也已启动建设，定位为半导体先进封装材料与设备供应链聚落，规划 AI 先进制造基地以及设备、材料验证基地。园区面积约 88.73 公顷，预计 2027 年第一季度开放厂商租地建厂，2029 年第二季度完成标准厂房建设。
从嘉义到高雄，中国台湾南部正形成围绕 AI 芯片的先进制造、封装、设备和材料产业链。对台积电而言，嘉义扩产不仅是 CoWoS 产能的延伸，也是在为更大尺寸封装、HBM4、Chiplet 以及未来光电融合封装预留制造空间。
AI 需求推动晶圆制造与封装同步扩张
从晶圆厂到先进封装厂，台积电持续扩产的背后，是 AI 正在改变半导体制造的产业逻辑。随着 GPU、HBM、Chiplet 以及高速互连需求增长，先进制程与先进封装的重要性同步上升。未来芯片竞争，不再只是制程节点竞争，也涉及晶圆制造、先进封装、存储和互连等环节。
本文来自微信公众号“半导体行业观察”（ID：icbank），作者为编辑部。