三星开发8层HBM4E满足英伟达定制要求

三星电子正按英伟达要求开发8层HBM4E，用于英伟达定制高带宽存储器NVHBM，预计从明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用。相较原计划的12层和16层方案，8层设计降低工艺难度，目标速率17-18Gbps，较早期样品提升约20%。业内人士认为，英伟达竞争重点转向高速传输后，三星相关能力或更受关注。