在美国加州圣塔克拉拉举行的2026 FMS Conference上，SK海力士与SanDisk公布HBF初步规格与路线图。首版规格最高容量达512GB，频宽约0.4 TB/s至3.0 TB/s，并采用UCIe连接处理器。SanDisk还展示了在特定AI推论情境下的测试案例，HBF被定位为介于HBM与传统NAND之间的新内存层级。

SK海力士正启动3D堆叠式DRAM-on-Logic技术的商业化布局，并通过美国子公司在加州招聘相关设计工程师。韩媒引述职位信息称，公司正与一家北美客户联合开发该技术，分析师Jukan认为合作方最可能是Apple。报道指出，这类3D堆叠内存旨在解决端侧AI对高带宽、低功耗和封装空间的要求，但距离大规模商用仍有较长路径。