NVHBM

三星电子

2026-10-18 11:56:39

三星将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。消息还称，英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。三星计划继续自主生产标准 HBM 及其他客户的定制产品。

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三星电子

2026-10-18 08:58:35

三星电子拟按英伟达要求采用 TSMC 3nm 生产 NVHBM 基础裸片

Citrini 分析师 jukan 在 X 平台称，据韩国媒体报道，三星电子已决定按英伟达要求，采用 TSMC 3nm 工艺制造 NVHBM 基础裸片。报道同时提到，三星尚未完全排除使用自有晶圆代工产线，并在验证当 NVHBM 需求超过 TSMC 产能时，内部生产基础裸片的可行性。

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三星电子

2026-10-18 09:04:23

Citrini：三星更可能承接 NVHBM 超额需求

Citrini 分析师 Jukan 表示，在三大存储厂商中更看好三星电子承接 NVHBM 相关机会。其判断依据是，台积电还需为英伟达 Rubin 与 Rubin Ultra 分配晶圆产能，难以大量接下 NVHBM 订单；具备自有代工能力的三星因此更具承接超额需求的条件。韩国媒体此前还称，三星已决定采用台积电 3 纳米工艺生产 NVHBM 底座芯片。

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三星电子

2026-08-31 06:20:55

韩媒：三星配合英伟达开发 8 层 HBM4E

据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达开发 8 层第七代高带宽存储器 HBM4E。与原计划的 12 层和 16 层方案相比，新方案明显降低了堆叠高度。报道称，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，高于三星初期 HBM4E 样品的 14.4Gbps，相关产品据报将用于 NVHBM。

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三星

2026-08-28 06:21:45

三星开发8层HBM4E满足英伟达定制要求

三星电子正按英伟达要求开发8层HBM4E，用于英伟达定制高带宽存储器NVHBM，预计从明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用。相较原计划的12层和16层方案，8层设计降低工艺难度，目标速率17-18Gbps，较早期样品提升约20%。业内人士认为，英伟达竞争重点转向高速传输后，三星相关能力或更受关注。

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三星电子

2026-08-28 06:27:38

三星为英伟达开发 HBM4E 8 层产品，瞄准 NVHBM 核心供应

据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E 8 层产品，争取成为其定制高带宽存储器 NVHBM 的核心合作伙伴。该方案较原定 12 层、16 层设计降低堆叠高度，目标速度为 17-18Gbps，高于三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps。报道还称，8 层设计有助于降低后工序难度和良率压力，或被英伟达用于缓解内存短缺，并计划自明年推出的 Rubin Ultra 起导入。

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英伟达

2026-08-27 00:43:29

英伟达发布 NVHBM，AWS 将在 Trainium4 上率先采用

英伟达发布新一代定制高带宽内存技术 NVHBM，并将其纳入 NVLink Fusion 生态。AWS 旗下 Annapurna Labs 成为首个合作方，计划从下一代 Trainium4 开始全面支持相关技术。双方同时敲定一份涵盖 2027 至 2028 年、规模最高达 200 万颗顶级 GPU 的采购安排，涉及 Blackwell Ultra、Rubin 和 Rubin Ultra。

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英伟达

2026-08-26 21:20:48

英伟达推出 NVHBM，携手 AWS 旗下 Annapurna Labs 提升 AI 基础设施

英伟达宣布扩展 NVLink Fusion 平台，推出新一代高带宽内存技术 NVHBM。该方案将内存控制器集成到 HBM 基础裸片中，相比标准 HBM4E，内存带宽最高提升 30%，HBM 功耗降低 15%，并可为 XPU 计算裸片释放最多 25% 面积。亚马逊旗下 Annapurna Labs 将成为首个采用该技术的合作伙伴，双方计划结合 NVLink 纵向扩展架构提升 AI 工作负载性能与效率。

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