存储芯片行业在2026年9月初连续出现两项与3D DRAM相关的新进展：AMD披露基于混合键合的3D DRAM实验数据，称能效最高可较传统HBM堆栈提升17倍；北方华创则在IEEE期刊公布下一代3D DRAM制造工艺突破。文章围绕3D DRAM为何成为焦点、三星、SK海力士和美光的技术路线，以及刻蚀、沉积、混合键合等设备环节的重心变化展开。

SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。公司在 2026 SK 海力士未来论坛上提出 3D DRAM 的主要技术方向，包括外围电路采用逻辑代工工艺、提升数据总线带宽和超短距离传输。与会人士还提到，推进 3D DRAM 仍需解决设计、发热、微细互连、键合和工艺整合等问题。