据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达开发 8 层第七代高带宽存储器 HBM4E。与原计划的 12 层和 16 层方案相比，新方案明显降低了堆叠高度。报道称，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，高于三星初期 HBM4E 样品的 14.4Gbps，相关产品据报将用于 NVHBM。

Citrini 分析师 Jukan 披露，SK 海力士正推动 HBM 基底芯片代工厂多元化，考虑把第七代 HBM4E 的部分基底芯片交给英特尔生产。目前其外包基底芯片完全依赖台积电。行业消息人士称，HBM4E 基底芯片最早可能由台积电与英特尔共同制造。受 HBM 长期供应协议覆盖，SK 海力士难以及时通过涨价转嫁成本，行业观察人士认为，引入英特尔将增强其成本竞争力和供应稳定性。

据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。此前其外包基底芯片生产完全依赖台积电，此举被视为建立多供应商代工策略的一部分，以减少供应链集中度并增强议价能力。行业消息人士称，台积电与英特尔可能从 HBM4E 世代起共同制造基底芯片。

三星电子正按英伟达要求开发8层HBM4E，用于英伟达定制高带宽存储器NVHBM，预计从明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用。相较原计划的12层和16层方案，8层设计降低工艺难度，目标速率17-18Gbps，较早期样品提升约20%。业内人士认为，英伟达竞争重点转向高速传输后，三星相关能力或更受关注。

据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E 8 层产品，争取成为其定制高带宽存储器 NVHBM 的核心合作伙伴。该方案较原定 12 层、16 层设计降低堆叠高度，目标速度为 17-18Gbps，高于三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps。报道还称，8 层设计有助于降低后工序难度和良率压力，或被英伟达用于缓解内存短缺，并计划自明年推出的 Rubin Ultra 起导入。

长鑫科技市值升至约 5,240 亿美元、3.58 万亿元人民币，盘中超过腾讯的约 5,100 亿美元、3.44 万亿元人民币，成为中国市值最高的企业。这家总部位于合肥的 DRAM 厂商于 7 月 27 日登陆上交所科创板，挂牌后股价一度累计上涨超过 500%。不过在 AI 服务器关键的 HBM 领域，长鑫科技仍未量产，技术水平据称较三星、SK 海力士和美光落后约两个世代。

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高，但股价近一个多月均明显回撤，市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示，三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM，并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断，供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前，真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间，以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

SK海力士7月29日盘中跌逾19%，创历史最大跌幅，挂钩该股的港股产品“南方两倍做多海力士”盘中一度跌逾28%，收盘跌13.99%。过去一个多月，SK海力士股价已较6月高点腰斩，该杠杆产品则从193.65港元跌至32.70港元，累计跌幅达83%。与此同时，香港证监会修订上市结构性基金规则，相关单一个股2倍杠杆及反向产品将于8月3日起切换为灵活杠杆结构。