京都大学宣布研发出可在 600°C 下稳定运行的碳化硅晶体管，突破传统硅芯片约 250°C 以上即失效的限制。该方案采用底部栅极设计与双阱隔离结构，分别解决离子注入带来的阈值电压漂移和高温漏电问题，并与现有商业晶圆厂制造流程兼容。研究团队称，这项技术面向航天探测、燃气轮机和极端环境电子设备，后续仍需攻克常闭型器件设计与高温封装可靠性。