伯恩斯坦：常规DRAM每晶圆收入已是HBM两倍，2027年价格继续上行

伯恩斯坦分析师在6月22日发布的报告中指出，常规DRAM价格在经历从2025年第三季度到2026年第二季度约4.5倍的飙涨后，2027年可能继续上行。这意味着内存产业的“暴利循环”尚未见顶，而常规产品的盈利能力实际上已超过HBM。

常规DRAM每bit售价已超越HBM

报告称，目前常规DRAM在单位bit平均售价上与高带宽内存（HBM）相当，甚至更高。2026年常规DRAM每晶圆产能收入可能是HBM的两倍，并享有明显更高的利润率。以SK海力士为例，HBM占约23%的晶圆用量，剩下77%由常规DRAM贡献，但每片晶圆的获利反而更高。

HBM需涨价三倍才能追上常规DRAM

伯恩斯坦给出直观数据：HBM价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追平常规DRAM。这解释了为何AI芯片叙事集中���HBM，但常规内存才是大厂利润主力。机构同时提醒，存储芯片厂商定价策略不会那么激进——若三大厂同时拉高HBM与常规DRAM价格，AI服务器成本将推升云服务费率，间接增加科技巨头资本支出。

台湾供应链受益，AI成本压力同步上升

常规DRAM涨价潮直接影响台湾内存供应链——南科的晶圆厂与封测厂产能利用率已接近满载。美国九大产业近期联名上书特朗普政府，指出内存涨价与缺货正影响下游制造业成本结构。SK海力士与三星赴美设厂进度因此加速。2025年第三季度到2026年第二季度的4.5倍涨幅已让内存产业进入类似“暴利循环”。若2027年继续上行，AI训练与推理的硬件成本可能进一步上升，影响大模型定价策略。