FMS 2026 于 8 月 4 日至 6 日在美国圣克拉拉举行。作为第 21 届全球独立存储产业峰会，本届会议上，SK 海力士、三星和铠侠围绕“AI 内存墙”分别拿出了不同路线，焦点从单一芯片性能转向存储在 AI 系统中的整体位置变化。
HBF 标准首次发布，定位在 HBM 之下新增一级
据 MSX 研究院整理，SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布了高带宽闪存（HBF）的首个标准规格，支持 8 层和 16 层堆叠，单颗容量最高可达 512GB。
带宽方面，HBF 的读带宽区间为 0.4 至 3.0 TB/s，上限已经进入 HBM4 的带宽区间。不过官方对这一产品的定位并不是替代 HBM，而是在 HBM 之下增加新的一级存储层。
三星展示 400 层以上 BV-NAND，并预览两项概念产品
三星在峰会上发布了 V10 BV-NAND，堆叠层数超过 400 层，这也是业界首次采用晶圆键合工艺实现该路线。
除现有产品外，三星还同步预览了 zHBM 与 zNAND-O。不过这两项方案目前仍处于概念阶段，尚未量产。
另据报道，三星 HBM 月产能将从约 17 万片晶圆提升至约 25 万片，增幅约 47%，目标是在 2026 年底达成。
SK 海力士和铠侠分别从能效与散热切入
除 HBF 外，SK 海力士还发布了第 10 代 375 层 4D NAND，能效较上一代提升 2.5 倍。
铠侠则推出 CM10。这是首款将 PCIe 6.0、332 层 BiCS10 以及直接冷板液冷结合在一起的企业级 SSD，意味着散热约束已经从 GPU 延伸到 SSD 侧。
MSX 研究院：行业标准尚未收敛，产能投入已先行
MSX 研究院认为，本届峰会最值得关注的并不是某一款具体产品，而是存储在 AI 系统中的位置正在发生变化。无论是把液冷引入 SSD，还是在 HBM 之下新增一级存储层，都指向同一个现实：存储已经成为决定算力能否跑满的约束条件。
报告同时提醒，尽管 HBF 的带宽上限已触及 HBM4 区间，但其底层介质仍然是闪存，在延迟和写入寿命上与 DRAM 不处于同一量级，因此官方始终将其定义为增量层，而不是替代品。
MSX 研究院还提到，当前三条技术路线并不兼容，行业标准也远未收敛，但三家厂商已经同步押注产能。从短期看，这被视为三家企业共同确认 AI 需求的信号；从中期看，供给节奏能否与需求匹配，仍将是这一轮存储周期的关键变量。
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