曾在今年 7 月率先警告内存板块面临短期回调风险、并一度被韩国市场称为“空头代言人”的摩根士丹利半导体首席分析师 Shawn Kim，已在最新研究报告中转向。报告指出，经过 7 月的激烈筹码洗牌与价格修正后，内存市场最猛烈的调整阶段已接近尾声，当前估值已具备较高吸引力，是一个“战术性进场”窗口。
大摩：这轮回调属于 AI 周期中的短暂波动
摩根士丹利将近期内存股回调定性为“AI 超级周期里的一次小波澜”，并未将其视为产业景气反转。报告称，7 月韩国股市与内存供应链的价格修正，主要来自海外高杠杆 AI 对冲基金爆仓、散户保证金贷款去杠杆，以及内存价格年增率增速见顶后触发的获利了结。
Shawn Kim 认为，随着 Agentic AI 与视频推理需求升温，内存已经成为关键算力瓶颈。本轮 DRAM 合约价格同比最大涨幅达到 700%，显示长期需求结构仍然稳健。
估值降至历史低位，获利下修压力放缓
报告称，在前期价格调整后，内存板块的估值已经出现较高安全边际。目前行业平均交易在约 3 倍未来 12 个月预估市盈率（NTM P/E），市场定价几乎没有反映长期成长溢价。
与此同时，分析师团队的获利预估净下修率变化率已自高点明显回落，意味着市场对基本面的最悲观数据修正阶段已经过去。随着 7 月平仓潮逐步结束，资金正重新流回直接受益于 AI 资本开支的 DRAM 与利基型内存。
报告预计 2026 年第四季出现周期转折
摩根士丹利预计，内存产业将在 2026 年第四季进入周期后段，届时推动股价的核心逻辑也会变化。报告称，驱动力将从前期主要依靠价格暴涨带来的经营杠杆，转向企业资本回馈、长期供货协议（LTA）带来的盈利稳定性，以及自由现金流（FCF）表现。
最新调研数据显示，2026 年第三季 DRAM 合约价预计季增约 15%，NAND 合约价预计季增约 20%。在供给端，产能正加速转向企业级固态硬盘（eSSD），以消化消费端需求放缓的影响。
SK 海力士与三星电子潜在涨幅均被看高于 60%
针对韩国两家主要内存厂商，摩根士丹利给出了分化的财务预估，但维持两者的看涨评级。
其中，SK 海力士因高带宽内存（HBM）领先地位稳固，加上二季度资产处置收益，2026 年每股收益（EPS）预估被上调 13%。三星电子则因智能手机与消费电子需求疲软，2026 年 EPS 预估被下调 10%。
尽管财务预测方向不同，报告仍认为，SK 海力士与三星电子相较当前股价的潜在涨幅都超过 60%。