三星与 Intel 同周更新 High-NA EUV 进展
ASML 在同一周分别与 Intel 和三星电子发布了 High-NA EUV 曝光技术的合作进展。根据 Intel Foundry 与 ASML 的联合声明，两家公司在 SPIE 光罩技术与极紫外光刻研讨会上表示，High-NA EUV 累计已处理超过 100 万片晶圆。
这 100 万片为累计数字，涵盖机台验证与测试、研发，以及 Intel Core Ultra Series 3 处理器、开发代号 Panther Lake 的部分层次量产。Intel 与 ASML 明确表示，这并不代表 100 万片商用 Panther Lake 晶圆，也没有公开测试、研发与量产分别占多少。
该产品采用 Intel 18A 制程。Intel 表示，High-NA 在对位精度、机台产出速度和稼动率方面达到 Intel Foundry 预期，部分 18A 层次的表现与同类传统 EUV 层次相当或更好。不过，公司没有披露良率、对位精度、缺陷密度或产出速度的量化数据。
ASML 总裁兼首席执行官 Christophe Fouquet 表示，Intel Foundry 是产业导入 High-NA 的关键领导者之一，已从 2024 年安装第一台商用 EXE 系统、完成最新一代机台验证，推进到出货首个以 High-NA 制造的量产逻辑产品。Intel 执行副总裁 Naga Chandrasekaran 则表示，打造日益复杂 AI 产品的公司，需要的是可以直接投入量产且易于使用的制造创新。
三星给出 2028 年 DRAM 量产时间表
三星电子与 ASML 在同日发布的公告中宣布扩大策略合作。按照双方说法，三星计划在 2028 年将 High-NA EUV 导入未来 DRAM 量产。这是产业内第一次有存储芯片厂商对这项技术给出用于量产的明确时间承诺。
双方指出，High-NA 带来的解析度提升，可望简化制程步骤，并延长 DRAM 的微缩路线图。
ABMedia 提到，链新闻此前曾报道，SK 海力士传出考虑委由 Intel 代工 HBM4E 底层芯片，显示存储芯片厂商在先进制程的代工与设备选择上正在松动。
光罩从 6 英寸走向 12 英寸
两则公告都指向同一项基础设施变化。Intel 表示，公司推动大尺寸光罩倡议已有 3 年，并与 ASML 及产业伙伴合作制定标准，支持向 6×12 英寸光罩演进，同时让现有 6 英寸光罩仍可使用。三星则宣布加入这项推进下一代 12 英寸光罩技术的产业倡议。
光罩尺寸从沿用数十年的 6 英寸标准走向 12 英寸，带来的变化包括提升厂房生产效率、降低制造成本，并移除拼接限制。Intel Foundry 与 ASML 也在研讨会上安排了两场关于光罩拼接技术的发表。
High-NA 规格与对应机型
在技术规格上，High-NA 将数值孔径从 0.33 提高到 0.55，解析度达到 8 纳米，成像对比较现有 NXE 系统提高 40%，对应机型为 TWINSCAN EXE:5200B。