三星计划 2028 年将 High-NA EUV 导入 DRAM 量产
ASML 同周分别与 Intel 和三星披露 High-NA EUV 进展。Intel Foundry 与 ASML 表示,该技术累计已处理超过 100 万片晶圆,但未拆分测试、研发与量产占比,也未公布良率等量化数据。三星则宣布计划在 2028 年将 High-NA 用于 DRAM 量产,并加入推进 12 英寸光罩技术的产业倡议。两项公告都指向同一项基础设施变化:光罩正从沿用数十年的 6 英寸走向 12 英寸。

ASML 同周分别与 Intel 和三星披露 High-NA EUV 进展。Intel Foundry 与 ASML 表示,该技术累计已处理超过 100 万片晶圆,但未拆分测试、研发与量产占比,也未公布良率等量化数据。三星则宣布计划在 2028 年将 High-NA 用于 DRAM 量产,并加入推进 12 英寸光罩技术的产业倡议。两项公告都指向同一项基础设施变化:光罩正从沿用数十年的 6 英寸走向 12 英寸。

随着 AI 芯片对算力、内存和通信带宽的异构整合需求上升,先进封装尺寸在两年内已从 2 倍光罩扩大到 4 至 5.5 倍光罩,带动业界重新评估玻璃基板。财报狗产业报告指出,玻璃基板分为临时载具与最终留在成品中的载板或中介层两类,其中更受关注的是后者。报告预计,小规模商用最快可能在 2027 年出现,大规模量产窗口落在 2028 至 2029 年,台积电是否将玻璃载板导入 CoWoS,被视为放量关键观察点。

台积电先进封装副总裁何军 11 日表示,5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 已正式量产,产品良率稳定超过 98%,部分超过 99%。他还称,台积电计划在 2029 年把 CoWoS 推进到 14 倍光罩尺寸,SoIC 键合节距缩至 4.5 微米;在 AI 封装供应链中,ABF 载板将成为继内存之后的关键瓶颈,多源采购也难完全化解问题。

分析师 qinbafrank 表示,市场讨论的英伟达 Rubin HBM 减配并不涉及已交付的标准版 Vera Rubin NVL72,而是 2027 年下半年计划推出的 Rubin Ultra 规格仍未最终敲定。Dell 已于 6 月初向 CoreWeave 交付首批 NVL72 系统,7 月已有数十家客户收到测试机架或初期出货,秋季将扩大交付。围绕 Rubin Ultra,此前 SemiAnalysis 和 TrendForce 均提到其 HBM 与封装方案仍存在不确定性。

英特尔公布截至 6 月末的 2026 年第二季度业绩,营收 161 亿美元,同比增长 25%,创下自 2011 年第三季度以来最高增速。Non-GAAP 口径下净利润为 22 亿美元,数据中心与 AI 事业部收入达 63 亿美元,同比增长 59%。公司将全年资本支出计划从 180 亿美元上调至 200 亿美元,并给出高于市场预期的第三季度指引。

特斯拉相关半导体项目Terafab在台湾发布9个资深工程师岗位,瞄准2纳米、7纳米以下制程与CoWoS经验人才,年薪开到700万至800万新台币。台积电董事长魏哲家回应称,产业没有捷径。

马斯克在特斯拉Q1 2026财报会上披露Terafab研究厂细节:选址Giga Texas、预算30亿美元、采用Intel 14A制程,整合光罩、逻辑、内存、封装在同一建筑,SpaceX负责量产放大。

野村证券援引日本经济产业省数据称,日本 5 月封装基板出货金额同比增长 36% 至 278 亿日元,出货面积同比增 10%,每平方米均价升至 135.6 万日元。报告同时指出,英伟达 Rubin Ultra 可能由 GTC 披露的四 die 方案转向双模块结构,台积电与英特尔围绕 2.5D、3D 与 3.5D 封装的竞争正在升温。
