三星披露 1nm 路线图：2030 年前后量产导入高 NA EUV

BlockBeats 消息，8 月 11 日，三星电子技术专家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 会议上公布公司新一代光刻技术路线图。按照这一路线，三星电子计划在 1nm 工艺中引入一项关键光刻创新，相关工艺最早可能在 2030 年进入量产。

三星电子表示，计划在 1nm 节点的大规模生产中部署高 NA EUV。这是一种下一代极紫外光刻技术，公司目前正集中开发实现商业化所需的相关技术。

该公司还称，正在加强高 NA EUV 的开发。三星将 1nm，也就是 A10 工艺，作为未来在量产中全面部署该技术的目标。「A」代表埃（angstrom），1 埃等于 0.1nm。

根据这一路线图，三星电子预计将在 2030 年前后开始在量产中使用高 NA EUV。

工艺推进方面，三星电子已实现 2nm 工艺商业化，并计划于 2029 年开始量产 1.4nm 的 SF1.4 工艺。据报道，该公司还在准备于 2030 年启动 SF1.4+，即 1.4nm 工艺增强版，以及 1nm 工艺的量产。