三星电子在 2026 年 NGL 会议上公布新一代光刻路线，计划在 1nm 工艺的大规模生产中部署高 NA EUV，相关节点最早可能于 2030 年进入量产。该公司称，1nm 也被标注为 A10，目前已实现 2nm 工艺商业化，并计划在 2029 年启动 1.4nm SF1.4 量产，2030 年推进 SF1.4+ 与 1nm 工艺量产准备。