三星评估扩产 4 纳米产能以应对 HBM4 基座芯片需求

ChainCatcher 消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子正因 HBM 市场增长推进晶圆代工先进制程产能扩张，并在评估扩大 4 纳米制程产能，以应对 HBM4 基座芯片需求上升。

HBM4 采用 1c DRAM 与 4 纳米逻辑基座芯片组合

报道显示，三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，后者负责与 GPU 等 AI 加速器进行高速数据交换。

与 SK 海力士采用台积电 12 纳米制程不同，三星在 HBM4 基座芯片上使用自有 4 纳米制程。

4 纳米产线满载，报价已上调

目前，三星相关产线已满负荷运转，并承接了英伟达 Groq 3 LPU 等订单。公司近期还上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。

三星预计，第三季度 HBM4 营收环比增长将超过 3 倍；在下半年 HBM 营收中，HBM4 占比将明显高于 60%。

平泽 P4 扩产与后续 HBM4E、HBM5 规划

平泽 P4 追加扩产中的大部分产能将用于 HBM 所需的 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能中，超过一半已经分配给 HBM4 基座芯片。

HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。

同时，公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标是采用 GAA 结构 2 纳米制程，并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。

三星于去年下半年启动 2 纳米第一代量产，并在今年下半年推进第二代产品。

花旗给出明年 HBM 供需预测

花旗预计，明年全球 HBM 比特需求将达到 752 亿 Gb，同比增长 62%；供应约为 594 亿 Gb，对应缺口约 21%。