KB证券9月11日报告称，三星电子HBM市场份额有望从第二季度的33%升至第四季度的40%。报告称，这一变化主要受HBM4第三季度销量环比增长超过3倍推动，且下半年HBM4预计占其HBM总销售额的60%以上。报告还披露，三星已确定HBM4、HBM4E、HBM5和下一代ZHBM的路线图，代工业务中4纳米与2纳米GAA良率也在改善。

中科管理局 9 日证实，台积电中科扩建二期 1.4 纳米建厂进度全面加快。P1 厂已完成钢构结构体，预计明年 4 月试机、明年下半年量产，较原订 2028 年量产时程提前。P2 厂已展开基础建设，P3、P4 厂则分别处于取得与申请建照阶段，四座新厂全部完工投产后，总员工数预计达 9000 至 1 万人。

三星电子已将 4 纳米代工产能的 50% 到 60% 分配给 HBM4 底层芯片生产，相关产线目前处于满载状态。DigiTimes 报道称，平泽园区第二、第三厂区的 S5 与 S6 产线合计月产能约 3 万片晶圆，其中约 1.5 万片用于 HBM4 底层芯片。这一安排也使其他 4 纳米客户可获得的产能空间相对收紧。

三星电子美国得克萨斯州泰勒晶圆厂预计本月底进入试运行，因特斯拉、博通、Arm等2纳米订单持续涌入，投产前产能已近满载。该厂累计投资370亿美元，初期月产能约5万片晶圆，良率已升至80%。三星预计今年2纳米接单量翻倍，并上调4纳米代工价格。英特尔、Rapidus也在推进同类工艺，竞争加剧。

路透社8月初称，三星电子和SK海力士正评估将中微公司的刻蚀设备用于其中国晶圆厂，三星随后否认、SK海力士拒绝置评。报道梳理了中微自2004年创立以来的发展，以及拓荆科技、华海清科、中科飞测、盛美上海、北方华创等企业在不同设备环节的推进。文章还提到，美国自2019年以来持续升级出口管制，叠加国家大基金三期累计超6800亿元认缴资金投入，推动国产设备国产化率到2025年升至约20%。

Bitdeer宣布将在2024年下半年于得州和挪威部署自研Sealminer A1矿机，新增3.4EH/s净算力，并计划到2025年底将管理总算力提升至超过46EH/s。

Bitdeer宣布推出首款加密货币挖矿芯片SEAL01，采用4纳米工艺，能效比达18.1 J/TH，并计划搭载于Sealminer A1矿机量产，以帮助矿工在减半后降低运营成本。

据 Citrini 分析师 jukan 援引韩国媒体消息，Samsung Foundry 已在 2026 年 6 月实现月度盈利，这是其自 2023 年以来首次单月转正。三星内部据称因此上调了第三季度出现盈利拐点的预期。报道提到，HBM4 基础裸片采用三星 4 纳米制程，以及 4 纳米良率升至约 80%，被视为本轮改善的关键支撑。