三星逾半 4 纳米产能转向 HBM4 底层芯片，月产约 1.5 万片

三星 4 纳米产能有一半以上转向 HBM4 底层芯片

三星电子把 4 纳米代工产能的一半以上分配给 HBM4 底层芯片。根据 DigiTimes 报道，这条产线目前处于满载状态，公司正加快对主要 AI 芯片客户的出货。

报道指出，三星 4 纳米制程的产出中，有 50% 到 60% 用于 HBM4 底层芯片。生产地点位于平泽园区第二与第三厂区，使用 S5 与 S6 两条代工产线。这两处 4 纳米总产能约为每月 3 万片晶圆，其中约 1.5 万片投入 HBM4 底层芯片。

HBM4 底层芯片为何会占用代工资源

底层芯片位于 HBM 堆叠最下层，负责与主芯片沟通，并控制整组内存。第六代 HBM4 将这一层从内存制程转到逻辑代工制程，因此会直接占用代工产能。这也是三星内部代工与内存部门在资源分配上会出现相互挤压的原因。

其他 4 纳米客户可分配产能相对受限

在单一产品线占用一条产线一半以上产能的情况下，其他使用 4 纳米节点的客户，可分配到的产能空间也会相对受限。对需要在这一节点下单的设计公司来说，交期与配额将成为接下来需要确认的事项。

三星自用 SF4，与其他厂商委外路线不同

三星在 HBM4 底层芯片上采用自家 4 纳米节点，内部代号为 SF4，这和其他内存厂将底层芯片委外的做法不同。链新闻先前报道称，SK 海力士传出考虑委由 Intel 代工 HBM4E 底层芯片，同一环节在不同厂商手中正出现不同方案。