6月23日，韩国股市上演了一场从狂欢到恐慌的急剧转折。就在前一天，SK海力士盘中市值触及约1.35万亿美元，26年来首次超越三星电子登顶韩国最高市值公司。然而仅一个交易日后，KOSPI 200期货暴跌5%触发熔断，三星和SK海力士双双遭遇恐慌性抛售。据TradingKey报道，直接触发因素包括谷歌高管变动引发的AI竞争力担忧，以及韩国监管层对半导体杠杆金融产品过度集中的审查导致强制平仓。
与市场剧烈波动相伴的，是一份乐观的行业预测。Counterpoint Research在6月23日发布的Memory Tracker数据显示，全球存储市场（DRAM+NAND）规模将在2027年上半年前持续扩张，突破2100万亿韩元（约1.5万亿美元），服务器用存储占比从2025年的不到50%升至57%。
基本面：供需缺口创15年之最
理解当前存储股估值，需要先看基本面。SK海力士2026年一季度营收达525.8亿美元（按当期汇率折算），同比增长198%；营业利润376.1亿美元，同比增长405%；营业利润率72%，超过英伟达同期的65%，创半导体制造业历史纪录。据CNBC报道，Counterpoint Research分析师MS Hwang对此评论称，一季度财报显示AI推理对存储的需求远超预期，各家公司正在抢夺供给。
高盛4月报告估算，全球DRAM供需缺口预计从3.3%扩大至4.9%，为15年来最严重。三星、SK海力士、美光三家控制全球95%以上DRAM产能，但几乎全部增量都被AI吞噬。TrendForce数据显示，2026年一季度DRAM合约价环比暴涨90%至95%，二季度涨幅收窄至58%至63%，但NAND闪存合约价反而加速至70%至75%的环比涨幅。
HBM核心驱动与新产能时间线
HBM（高带宽存储器）是这轮涨价的核心。每生产1GB的HBM消耗约三倍于普通DDR5的晶圆面积，但单颗堆叠售价在300至500美元之间，利润率是普通DRAM的三到五倍。SK海力士目前占据全球HBM市场约57%至62%的份额，是英伟达AI加速器的首要供应商。高盛估计，SK海力士已锁定英伟达下一代Rubin平台HBM4订单的约三分之二。
Counterpoint在报告中明确提示：新产能投产一旦可见，价格急跌风险不可排除。具体时间线如下：美光已将2026财年资本支出上调至200亿美元，爱达荷州新晶圆厂2027年年中投产；三星平泽P5工厂预计2028年运营；SK海力士M15X设施2027年中启用，另宣布投资19万亿韩元建设新厂。
但扩产节奏仍远慢于需求增长。高盛测算，2027至2028年美国数据中心带来的存储需求增量约为9%至12%，而本地产能扩张幅度仅约2%至4%。同时，HBM4单堆叠所需DRAM die从12颗增加到16颗，每颗AI加速器芯片的DRAM消耗量增加33%。TrendForce指出，HBM3E仍是当前出货主力，HBM4开始贡献营收，但AI芯片升级延迟和库存积累正在令增长动能放缓，真正的价格调整窗口可能出现在2027年下半年至2028年。
市场矛盾与未来展望
6月22日的登顶和23日的熔断，浓缩了当前存储板块的核心矛盾：基本面仍在加速（海力士一季度利润率72%、供需缺口15年最大），但估值已经price in了极度乐观的预期（SK海力士年内已涨超340%），而杠杆产品的过度集中放大了任何方向的波动。
三星和SK海力士均在财报中警告，存储短缺预计至少持续到2027年。三星存储负责人Kim Jaejune称需求满足率已降至历史低位，客户正在抢订未来供给。韩国央行因半导体超级周期倾向加息，韩国国债在全球表现垫底。目前38位分析师对SK海力士的一致评级为「强烈买入」，12个月目标价均值约271万韩元，韩华投资证券刚把目标价从163万上调至430万韩元。