Odaily星球日报讯，SK 海力士已启动位于美国印第安纳州、投资 40 亿美元的存储中心建设。
根据披露计划，该公司将于 2029 年下半年在印第安纳州工厂启动下一代 HBM4E 芯片的量产。
SK 海力士 CEO 预计，印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。
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SK海力士启动美国 40 亿美元先进内存封装厂建设
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News EditorSK海力士已启动位于美国印第安纳州、总投资 40 亿美元的存储中心建设。按照披露计划，公司将于 2029 年下半年在当地工厂启动下一代 HBM4E 芯片量产。SK海力士 CEO 还表示，印第安纳州有望成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。
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