消息称SK海力士考虑让英特尔代工HBM4E基底芯片

BlockBeats 消息，8 月 31 日，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正在着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商。HBM 通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成。

消息称，SK 海力士考虑将第七代高带宽存储器 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。此前，SK 海力士的外包基底芯片生产一直完全依赖台积电。引入英特尔被视为其建立多供应商代工策略的努力，目标之一是减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。

台积电与英特尔或共同制造

据行业消息人士 8 月 31 日透露，SK 海力士正在推进一项计划，HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。

市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士短期内难以通过提高产品价格，将更高的代工成本转嫁给客户。

行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。